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深圳大学范泽龙:基于
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深圳大学范泽龙:基于
基于带状氮化铝晶体真空紫外探测器研究范泽龙，武红磊，孙振华深圳大学
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guansheng2022-09-01 12:17
南京大学王海萍:基于
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南京大学王海萍:基于
基于增强型p-GaN HEMT的高性能紫外光电晶体管王海萍，游海帆，陈敦军*，张荣，郑有炓南京大学
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guansheng2022-09-01 12:16
华中科技大学吴峰:基
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华中科技大学吴峰:基
基于宽禁带半导体的深紫外发光与探测器件研究吴峰*，戴江南，陈长清华中科技大学
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guansheng2022-09-01 12:13
太原理工大学崔艳霞:
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太原理工大学崔艳霞:
碳化硅基窄带紫外光电探测器崔艳霞*，李梦辉，胡鲲，耿路路，潘登，李国辉，王文艳，许并社太原理工大学
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guansheng2022-09-01 12:05
北京大学孙栋: 基于拓
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北京大学孙栋: 基于拓
基于拓扑半金属的高性能光电探测孙栋北京大学
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guansheng2022-09-01 12:04
江苏第三代半导体研究
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江苏第三代半导体研究
GaN基Micro-LED同质外延及其性能表征王国斌*，闫其昂，周溯沅，李增林，苏旭军，刘宗亮，王建峰，徐科江苏第三代半导体研究院有限公司中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司
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guansheng2022-09-01 11:36
南京大学庄喆：InGaN
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南京大学庄喆：InGaN
InGaN基红光Micro-LED器件研究庄喆*，刘斌，张荣南京大学
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guansheng2022-09-01 11:34
清华大学汪莱：GaN基
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清华大学汪莱：GaN基
GaN基高速蓝绿光Micro-LED研究进展汪莱*，王磊，李振浩，郝智彪，罗毅清华大学
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guansheng2022-09-01 11:30
北京大学陈兆营：面向
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北京大学陈兆营：面向
面向氮化物全彩显示的InGaN基红光Mini/Micro-LED研究陈兆营，盛博文，刘放，李铎，袁泽兴，葛惟昆，沈波，梁文骥，赵春雷，闫龙，Jason Hoo，郭世平，王新强*北京大学
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guansheng2022-09-01 11:23
复旦大学张园览：基于
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复旦大学张园览：基于
基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy张园览复旦大学Yuan-Lan ZHANGFudan University
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limit2022-05-01 20:24
张荣：基于宽禁带半导
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张荣：基于宽禁带半导
基于宽禁带半导体量子结构的物理效应与器件应用张荣教授厦门大学
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limit2022-01-10 13:09
黄火林：GaN基增强型H
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黄火林：GaN基增强型H
《GaN基增强型HEMT器件关键技术》作者：黄火林单位：大连理工大学光电工程与仪器科学学院
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limit2022-01-10 11:07
梅洋：GaN基VCSEL技术
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梅洋：GaN基VCSEL技术
《GaN基VCSEL技术进展》作者：梅洋，许荣彬，应磊莹，龙浩，郑志威，张保平单位：厦门大学电子科学与技术学院
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limit2022-01-10 10:40
田朋飞：基于Micro-LE
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田朋飞：基于Micro-LE
《基于Micro-LED阵列的水下双工可见光通信及水下充电系统》作者：林润泽，崔旭高，田朋飞单位：复旦大学信息科学与工程学院
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limit2022-01-10 10:26
陈凯：基于MPCVD法异
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陈凯：基于MPCVD法异
《基于MPCVD法异质外延生长金刚石膜的研究》作者：陈凯，胡文晓，叶煜聪，刘斌，陶涛，张荣单位：江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院，厦门大学
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limit2022-01-07 14:59
徐童龄：基于NiO/β-
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徐童龄：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3异质pn结的低漏电JBS二极管研究》作者：徐童龄，罗浩勋，邓郁馨，陈梓敏，裴艳丽，卢星，王钢单位：中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室
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limit2022-01-07 13:50
张亚民：基于脉冲信号
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张亚民：基于脉冲信号
《基于脉冲信号导通延迟的SiC MOSFET结温检测方法研究》作者：姜山，张亚民，冯士维，石帮兵单位：北京工业大学
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limit2022-01-07 13:49
陈鹏：GaN基肖特基功
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陈鹏：GaN基肖特基功
《GaN基肖特基功率器件研究新进展》作者：陈鹏单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 13:31
张昊宸：具有超高光响
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张昊宸：具有超高光响
《具有超高光响应（3.6107 A/W）的AlGaN/GaN基光电三极管》作者：张昊宸，孙海定，龙世兵单位：中国科学技术大学微电子学院
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limit2022-01-07 13:29
吴千树：肖特基p型栅
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吴千树：肖特基p型栅
《肖特基p型栅结构GaN基HEMTs中Vth的影响机理》作者：吴千树，何亮，张津伟，陈佳，黎城朗，张琦，丘秋凌，刘振兴，周毓昊，吴志盛，贺志远，刘扬单位：中山大学电子与信息工程学院，工业和信息化部电子第五研究所
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limit2022-01-07 11:51