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徐尉宗：具有高可靠感
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徐尉宗：具有高可靠感
《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 11:50
叶建东：氧化镓基双极
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叶建东：氧化镓基双极
《氧化镓基双极型异质结功率器件研究》作者：叶建东，巩贺贺，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顾书林，陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 11:41
刘兴华：基于牛眼结构
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刘兴华：基于牛眼结构
《基于牛眼结构微腔的碳化硅单光子发射》作者：刘兴华，刘泽森，任芳芳，徐尉宗，周东，叶建东，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学深圳研究院，南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 10:24
陈敦军：高增益AlGaN
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陈敦军：高增益AlGaN
《高增益AlGaN基异质结紫外光电探测器及其能带的调控》作者：陈敦军，游海帆，王海萍，蔡青，陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-07 08:59
詹腾：金属氧化物/AlG
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詹腾：金属氧化物/AlG
《金属氧化物/AlGaN/GaN基多异质结深紫外光电探测器》作者：詹腾，孙剑文，伊晓燕，李晋闽单位：中国科学半导体研究所、清华大学
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limit2022-01-07 08:57
汪丹浩：基于宽禁带铝
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汪丹浩：基于宽禁带铝
《基于宽禁带铝镓氮纳米线的新型紫外光电化学光探测器研究进展》作者：汪丹浩，孙海定，龙世兵单位：中国科学技术大学微电子学院
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limit2022-01-07 08:55
路慧敏：基于智能算法
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路慧敏：基于智能算法
《基于智能算法的深紫外LED效率研究方法》作者：路慧敏，李子正，朱一帆，冯丽雅，于彤军，王建萍单位：北京科技大学计算机与通信工程学院，北京大学物理学院
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limit2022-01-07 08:51
楚春双：基于III族氮
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楚春双：基于III族氮
《基于III族氮化物的深紫外光电转换器件的研究》作者：楚春双，张勇辉，高元斌，杭升，黄福平，张紫辉单位：河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室，河北工业大学电子信息工程学院
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limit2022-01-07 08:50
周玉刚：基于Ag、Mg金
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周玉刚：基于Ag、Mg金
《基于Ag、Mg金属的GaN低吸收欧姆接触研究与光电器件应用》作者：周玉刚，潘赛，郭焱，金楠，许朝军，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-06 11:46
闫建昌：AlGaN基紫外L
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闫建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子结构设计研究进展》作者：闫建昌，郭亚楠，刘志彬，王军喜，李晋闽单位：中国科学院半导体研究所，中国科学院大学
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limit2022-01-06 11:41
杨敏：低硅三甲基铝产
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杨敏：低硅三甲基铝产
《低硅三甲基铝产品的开发》作者：邢怀勇，朱熠，吉敏坤，杨敏单位：江苏南大光电材料股份有限公司
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limit2022-01-06 10:59
梅洋：GaN基VCSEL技术
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梅洋：GaN基VCSEL技术
《GaN基VCSEL技术进展》作者：梅洋，郑重明，许荣彬，应磊莹，龙浩，郑志威，张保平单位：厦门大学微电子与集成电路系微纳光电子研究室
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limit2022-01-06 10:43
孙海定：AlGaN基紫外
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孙海定：AlGaN基紫外
《AlGaN基紫外发光和新型紫外光电化学光探测器研究进展》作者：孙海定，龙世兵单位：中国科学技术大学
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limit2022-01-06 10:30
王蓉：半导体碳化硅材
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王蓉：半导体碳化硅材
《半导体碳化硅材料中位错的基本性质研究》作者王蓉，李佳君，罗昊，杨德仁，皮孝东单位：浙江大学杭州国际科创中心，浙江大学硅材料国家重点实验室和材料科学与工程学院
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limit2022-01-06 10:21
刘清：基于SiC厚膜的
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刘清：基于SiC厚膜的
《基于SiC厚膜的极低漏电高灵敏度室温软X射线探测器》作者：刘清，徐尉宗，羊群思，周东，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学电子科学与工程学院，江苏省光电信息功能材料重点实验室
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limit2022-01-06 10:17
黎明锴：基于二氧化锡
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黎明锴：基于二氧化锡
《基于二氧化锡的紫外光电探测器研究》作者：黎明锴，刘伯涵，肖兴林，魏皓然，刘凤新，李强，张兴业，陈粤，何云斌单位：湖北大学材料科学与工程学院
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limit2022-01-05 17:27
程其进：氧化镓基日盲
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程其进：氧化镓基日盲
《氧化镓基日盲紫外光电探测器的制备及特性研究》作者：程其进，徐翔宇, 陈文山，龚彧亨，陈文澄，张洪良单位：厦门大学电子科学与技术学院，厦门大学化学与化学学院
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limit2022-01-05 17:20
朱昱豪：基于氮化镓金
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朱昱豪：基于氮化镓金
《基于氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管的单片集成DFF-NAND与DFF-NOR电路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文辉清，刘雯单位：西交利物浦大学智能工程学院
30500
limit2022-01-05 17:11
袁昊：万伏级4H-SiC基
2190
袁昊：万伏级4H-SiC基
《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者：刘延聪，唐冠南，汤晓燕，袁昊，宋庆文，张玉明单位：西安电子科技大学，中国人民解放军空军工程大学
21900
limit2022-01-05 17:00
马骋：硅基氮化镓外延
2560
马骋：硅基氮化镓外延
《硅基氮化镓外延材料射频损耗产生机理及其抑制方法》作者：马骋，杨学林，刘丹烁，蔡子东，陈正昊，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
25600
limit2022-01-05 16:53