基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光发射调控Deep-ultraviolet light extraction towards shorter wavelength based on ultrashort-period AlN/GaN suplerlattices高娜厦门大学副教授GAO NaAssociate Professor of Xiamen University

《基于牛眼结构微腔的碳化硅单光子发射》作者：刘兴华，刘泽森，任芳芳，徐尉宗，周东，叶建东，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学深圳研究院，南京大学电子科学与工程学院

《宽禁带III族氮化物中点缺陷单光子发射的理论研究》作者：石芝铭，臧行，齐占斌，孙晓娟，黎大兵单位：中科院长春光学精密机械

德国 ALLOS semiconductors GmbH 总裁Alexander LOESING分享了“用于微LED的具有精确应变控制和优异发射均匀性的200mm硅基镓氮LED外延片”报告。他表示，精准的应变控制对硅基镓氮的晶圆，能够通过结合形成中间层来获得，能够让我们有精确的应变控制，之前产业是没有想象过的，能够让我们实现刚刚说的五大特点。问题是什么？ 副作用是什么？我们看没有幅面的作用，对于我们生产来说是完全可以实现的。

中国科学院半导体研究所固态照明研发中心张连分享“选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器”研究报告。 张连表示，GaN基异质结双极晶体管（HBT）具有本征优点，例如更高线性度，常关工作模式和更高的电流密度。然而，其发展进度缓慢。一个主要问题是由低自由空穴浓度引起的基极层的低导电性，以及外部基极区域的等离子体干蚀刻损伤。虽然一些研究人员使用选择性区域再生来减轻基层的损害，但工作后没有显着的进步。最常见的因素之一是难以获得高质量的选择性区域再生长基底层和发射极层。通过使用选择