俄罗斯STR 集团有限公司Mark RAMM介绍了《塑造-LED芯片形成内部微反射器，提高出光效率的一种方式》主题报告。他表示，微型LED在极高电流密度下工作的光源，其器件自热、由俄歇复合引起的效率下降和表面复合成为限制器件性能的主要因素。特别是当器件尺寸减小时，表面复合导致-LED峰值效率向更高电流密度处偏移且数值降低。早期对-LED的研究主要集中在它们的电流调制特性上。直到最近，效率提高才成为-LED的研究热点。通常，-LED的

碳化硅生长和衬底建模以及基于MOVPE技术的氮化镓生长模拟 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia