宽禁带材料具有非中心对称的晶体结构，因而表现出显著的压电特性，长期以来这些材料中压电极化电荷和半导体特性的耦合过程被忽略。近年来对于压电电子学和压电光电子学的基础及应用研究取得了快速地发展。多种功能材料中的压电电子学和压电光电子学的基本效应得到了系统深入地研究，相关的理论体系得以建立，诸多压电电子学和压电光电子学器件也被设计研发。会上，王中林院士带来了压电学理论与研究成果的分享，报告结合具体的数据

零回滞氧化镓光电晶体管 从光电导效应到光栅效应谭鹏举，邹燕妮，赵晓龙*，侯小虎，张中方，丁梦璠，于舜杰，马晓兰，徐光伟，胡芹*，龙世兵中国科学技术大学

基于单根Ga2O3纳米线的深紫外光电探测性能马淑芳*，刘松，韩斌，尉国栋，董浩琰，牛艳萍，郝晓东，许并社陕西科技大学

Ga2O3三元合金设计及其日盲紫外光电探测器研究王其乐，瞿秋琳，陈剑，黎明锴，卢寅梅，何云斌*湖北大学

氧空位在异质外延-Ga2O3薄膜MSM型光电探测器中的影响许锐，马晓翠，梅洋，应磊莹，张保平*，龙浩*厦门大学

基于增强型p-GaN HEMT的高性能紫外光电晶体管王海萍，游海帆，陈敦军*，张荣，郑有炓南京大学

碳化硅基窄带紫外光电探测器崔艳霞*，李梦辉，胡鲲，耿路路，潘登，李国辉，王文艳，许并社太原理工大学

基于拓扑半金属的高性能光电探测孙栋北京大学

用于片上通信的日盲波段光电集成芯片何瑞，魏同波*，王军喜，李晋闽中国科学院半导体研究所