35-5V单片集成GaN基DC-DC浮动降压转换器A 35-5 V Monolithic integrated GaN-based DC-DC Floating Buck Converter朱昱豪西交利物浦大学ZHU YuhaoXi'an Jiaotong-Liverpool University

GaN基微腔激光器的制备Fabrication of GaN based micro-cavity lasers梅洋厦门大学助理教授MEI YangAssistant Professor of Xiamen University

AlGaN基低维量子结构外延和电导率调控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures许福军北京大学物理学院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University

垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果，首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。