Adding efficiency to electronics with III-Nitride technologySrabanti CHOWDHURY美国斯坦福大学电气工程副教授Srabanti CHOWDHURYAssociate Professor of Electrical Engineering and Senior Fellow at the Precourt Institute for Energy, USA

日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为超宽禁带氧化半导体的生长和特性的主题报告。郭其新主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED，其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时，还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的