• 北京大学副教授许福军
    AlGaN基低维量子结构外延和电导率调控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures许福军北京大学物理学院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
    121900
    guansheng2023-05-19 08:51
  • 南京大学教授修向前:
    基于HVPE-Ga2O3氮化的GaN衬底技术The preparation of GaN based on the nitridation of HVPE-Ga2O3 films修向前南京大学教授XIU Xiangqian-Professor of Nanjing university
    82400
    guansheng2023-05-18 16:18
  • 美国斯坦福大学电气工
    Adding efficiency to electronics with III-Nitride technologySrabanti CHOWDHURY美国斯坦福大学电气工程副教授Srabanti CHOWDHURYAssociate Professor of Electrical Engineering and Senior Fellow at the Precourt Institute for Energy, USA
    56700
    guansheng2023-05-18 11:50
  • 西安电子科技大学微电
    SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 张艺蒙西安电子科技大学微电子学院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
    67400
    limit2022-05-01 17:18
  • 大连理工大学教授王德
    SiC MOS器件氧化后退火新途径低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大连理工大学教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology
    70400
    limit2022-05-01 10:00
  • 美国俄亥俄州立大学教
    碳化硅芯片会在 2025-2030 年被电动汽车广泛采用的可能性探讨The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
    67200
    limit2022-05-01 09:55
  • 复旦大学特聘教授张清
    SiC器件和模块的最新进展RecentAdvancesofSiCPowerDevices张清纯复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University
    67200
    limit2022-05-01 09:48
  • 瑞典皇家理工学院教授
    用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工学院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden
    87600
    limit2022-01-31 13:50
  • 厦门大学张荣教授:Ⅲ
    Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授
    99600
    limit2022-01-31 13:44
  • 视频报告 2018--美国
    2018年10月23日下午,第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题,吸引了来自海内外半导体照明,第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与,共同论道产业发展。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、深圳市龙
    216400
    limit2021-04-29 12:37
  • 【视频报告 2018】Vic
    美国电力副执行主任兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor Veliadis带来《10 kV 4H-SiC晶体管基面位错和耐久性的影响》;
    185400
    limit2021-04-29 12:26
  • 【视频报告 2018】Mie
    瑞典皇家工学院工程科学院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典视角分享了《WBG电力设备的现状和采用前景》,报告中介绍了由瑞典创新局(Vinnova)和瑞典能源管理局以及碳化硅电力中心资助的选定工业和研究项目的概况和重点。示例展示了基于WBG的电力电子能量转换系统在各种应用中的节能方面的革命性进展。简要介绍了瑞典材料、技术和设备研发领域的相关项目。
    98800
    limit2021-04-29 12:26
  • 【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅(SiC)等材料的晶体生长过程。今天,SiC是通过气相或液相法生长的,它包括下列过程:反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告,报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
    246400
    limit2021-04-29 12:25
  • 【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》;
    257000
    limit2021-04-29 12:25
  • 【视频报告 2018】敖
    日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平在《用于微波无线电能传输的氮化镓射频肖特基二极管》报告中介绍到:无线电能传输技术是非常有前景的新技术,可以用在各种各样的无线系统,比如无线充电、能量收割、无处不在的电源和建筑物内的电源供应等。在微波无线电能传输系统里,通常采用天线整流电路(rectenna)来完成RF到DC的能量转换。天线整流电路广泛地用到肖特基势垒二极管(SBD)。但是,目前市场上很难找到能在天
    231400
    limit2021-04-29 12:21
  • 【视频报告 2018】台
    【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授:适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
    96500
    limit2021-04-29 12:20
  • 【视频报告 2018】日
    日本名城大学副教授Motoaki IWAYA 带来了关于基于AlGaN 激光的发展现状的报告。
    96700
    limit2021-04-29 12:06
  • 【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而,传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限,使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告,该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
    90100
    limit2021-04-29 12:06
  • 【视频报告 2018】加
    与功率MOS场效应晶体管相比,驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难,这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度,这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了
    86600
    limit2021-04-29 12:05
  • 【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告,分享了该技术领域的最新进展。
    97700
    limit2021-04-29 12:04
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