面向SiC功率器件的装备与工艺解决方案NAURA Solutions for SiC Power Devices张轶铭北京北方华创微电子装备有限公司Zhang YimingBeijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd

SiC单晶的坩埚结构及PVT生长工艺条件的改进SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT GrowthWon-Jae LEE韩国东义大学教授、釜山电力半导体研究所所长Won-JaeLEEProfessor of Dong-Eui University,Director of Busan Power Semiconductor Lab.

异质集成氮化镓功率模块的量产制造工艺研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江实验室研究员WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)

化合物半导体工艺设备解决方案 Equipment and Processes Solutions in Compound Semiconductor王显刚北京北方华创微电子装备有限公司LED及化合物半导体行业发展部总经理WANGXiangangGeneral Manager ofLED and Compound Semiconductor Developmentdepartment, Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,ltd.

SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices巩小亮中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

OMMIC公司董事长、巴黎高等电子研究所终身教授Marc Christian ROCCHI（四川益丰基础研发部部长王祁钰代讲）介绍了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工艺和产品》主题报告，报告中将首先从射频性能和可靠性的角度来综述GaN on Si工艺。检查各种10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高达35%，增益23 dB。从20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的宽带LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器来演示这些工艺的性能

西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师、博士冯 巍 《SiC功率MOSFET封装工艺》

瑞士Microdiamant研发部门负责人Christian JENTGENS带来了题为多晶金刚石微纳米粉在SiC晶片加工中的应用及其关键工艺技术的主题报告，报告表示，碳化硅业务的主要目标是提高效率，并介绍了SiC晶圆加工的个性化解决方案，从厂商角度分享了碳化硅晶圆最重要的特征，如何判断产品品质优劣以及关键的流程步骤等内容。