基于量产的氮化镓基光电子及功率器件的外延建模Modeling of Production-scale Epitaxy for Optical and Power GaN-based Devices LAMBRINAKIMARIIA苏州思体尔软件科技有限公司总经理LAMBRINAKI MARIIAGeneral Manager of Suzhou STR Software CO.,Ltd.

Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授

河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种