电子科技大学博士陈匡黎: p-GaN Gate HEMT器件阈值稳定性及其机理

视频IFWS > IFWS20222024-05-09 00:14
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p-GaN Gate HEMT器件阈值稳定性及其机理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陈匡黎电子科技大学博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China
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