张皇澍：A quantitative analysis of stress-dislocation evolution and application in GaN-on-Si

视频WBSC 20212024-04-16 19:30

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A quantitative analysis of stress-dislocation evolution and application in GaN-on-Si作者：李孟达，张皇澍，杨志坚，吴洁君，于彤军单位：北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心

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