王宏跃：Investigation of Defect Characteristics in GaN Layers With Different Carbon Doping Concentration

视频WBSC 20212024-04-29 09:09
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Investigation of Defect Characteristics in GaN Layers With Different Carbon Doping Concentration作者：王宏跃，许实清，周斌，施宜军，付志伟，陈思，路国光，黄云，王金延单位：工业和信息化部电子第五研究所，北京大学
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