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上海微系统所科研团队在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得
突破
性进展
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极限:化合物半导体与EDA的协同进化之路
哈尔滨工业大学在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新
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以革命性
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助力中国材料科学迈上新高度——赛默飞发布新一代球差校正透射电镜Iliad
中欣晶圆12英寸BCD硅片产品取得技术
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中昊芯英斩获2024年第十九届“中国芯”最高奖“年度重大创新
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晶盛机电:实现8-12英寸半导体大硅片设备的国产化
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1万伏!我国实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程
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英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆,
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广东:力争到2030年取得超10项光芯片核心技术
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工信部:高级自动驾驶技术有望实现新的重大
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至芯半导体取得重大
突破
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我国在太阳能电池领域取得新
突破
国产半导体专用光刻胶领域实现重大
突破
,已通过量产验证!
电子科大国家工程技术研究中心在二维单相多铁方向取得重大
突破
北京大学电子学院陈景标研究团队在原子钟领域取得重要
突破
Nature | 康奈尔大学:光电功能器件最新
突破
九峰山实验室再次在硅光子集成领域取得
突破
性进展
济南比亚迪今年生产新能源车力争
突破
30万辆
中国科大在仿生光电神经感知器件领域取得新
突破
立昂晶电:实现磷化铟半导体材料技术
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获评雏鹰企业
国创中心联合研发中心逐步发力,“超高性能同质外延Micro-LED”取得新
突破
我国首次
突破
沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术
突破
!鸿海布局第四代半导体跨大步
北京理工大学团队在杂化范德华外延生长研究方向取得重要
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国内高校实现Micro LED技术
突破
,涉及深紫外、光通讯
我国科学家实现材料
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,可用于开发低功耗芯片
IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造
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