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国产首颗机器人关节“
氮化镓
驱动器芯片”正式商用
中科院苏州纳米所孙钱团队与合作者在
氮化镓
紫外探测领域取得新进展
CSPSD2025 | 近30位专家学者齐聚探讨
氮化镓
及超宽禁带功率器件新未来!
氮化镓
明星企业陷破产危机:聚力成半导体从50亿项目到清算边缘
CSPSD 2025前瞻|英诺赛科孟无忌:GaN“上车”之路——
氮化镓
在电动汽车中应用方案与优势
CSPSD 2025前瞻| 氮矽科技罗鹏:集成驱动
氮化镓
芯片的必要性与发展趋势
江南大学成果推介:
氮化镓
微波功率器件
CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰:
氮化镓
功率器件辐射效应与加固技术研究
CSPSD 2025前瞻|新微半导体王庆宇:
氮化镓
赋能未来,突破功率极限,开启能效革命
意见征集 | 北大光电院牵头的异质外延
氮化镓
外延层厚度测试方法标准形成征求意见稿
Polar与瑞萨电子达成硅基
氮化镓
技术授权协议
YS/T 1654-2023《
氮化镓
化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》标准解读
英诺赛科发布自主开发的1200V
氮化镓
产品
比利时
氮化镓
厂商BelGaN拟被2.5亿欧元收购,计划生产光芯片
江西誉鸿锦取得亚垂直结构
氮化镓
肖特基势垒二极管及其制造方法专利
意法半导体与英诺赛科签署
氮化镓
技术开发与制造协议
镓特半导体取得一种HVPE大尺寸
氮化镓
晶圆镓舟反应器专利,能够提升
氮化镓
晶圆片生长尺寸
全球首创!九峰山实验室在氮极性
氮化镓
材料制备领域取得新突破
重磅发布|九峰山实验室GaN系列成果首次发布!
九峰山实验室
GaN
研究成果
8英寸
氮化镓衬底
山东晶镓申请一种紫外光催化辅助的
氮化镓
晶圆抛光方法专利,提高了
氮化镓
晶圆的抛光效率
国星光电:子公司风华芯电
氮化镓
器件实现量产并开始接单
安徽格恩半导体申请
氮化镓
基化合物半导体激光器专利,提升远场图像FFP质量、光束质量因子和激光相干性
中企竞标收购比利时
氮化镓
厂商BelGaN
新微半导体宣布推出650V E-mode
氮化镓
功率工艺代工平台
广东芯赛威取得电源管理芯片及电路专利,可提高
氮化镓
器件在电源应用中的可靠性
赛微电子:公司已开展深圳产线建设,
氮化镓
芯片仍处于工艺开发阶段
CASICON重庆站:全面聚焦
氮化镓
、氧化镓、金刚石功率半导体技术及应用发展
Navitas预计2025年人工智能和电动汽车的
氮化镓
需求增加
浙江大学柯徐刚研究员团队发布应用于大功率AI数据中心的第三代半导体
氮化镓
高效率智能供电芯片
CASA立项《HEMT功率器件用硅衬底
氮化镓
外延片》1项团体标准
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