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CASICON 2023长沙站:氮化镓、
氧化镓
及其他新型半导体技术进展探讨
镓仁半导体完成数千万天使轮融资,加速
氧化镓
中试线研发等
厦大研究团队在高灵敏、自供电
氧化镓
日盲紫外光电探测器研究取得进展
闻泰科技:已布局第三代化合物半导体 暂无
氧化镓
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闻泰科技:已布局第三代化合物半导体,暂无
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氧化镓
晶圆衬底技术突破
国内第一!中国电科46所成功制备6英寸
氧化镓
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中国首颗6英寸
氧化镓
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氧化镓
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中国科大在
氧化镓
半导体器件领域取得重要进展
国产4英寸
氧化镓
晶圆衬底技术获突破!
新型超宽禁带半导体材料厂商铭镓半导体实现4英寸
氧化镓
晶圆衬底技术突破
宽禁带
氧化镓
半导体在压电与射频器件中的应用
4英寸
氧化镓
单晶生长与性能分析
山东大学成功研制高质量4英寸
氧化镓
晶体
一文读懂
氧化镓
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郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2
氧化镓
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氧化镓
中实现空穴超注入效应
日企将大规模量产
氧化镓
器件
外媒:日企将大规模量产
氧化镓
器件
A 轮融资近亿元!铭镓半导体将建国内首条
氧化镓
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复旦大学卢红亮课题组在柔性
氧化镓
光电探测器方面取得重要研究进展 实现超灵敏的深紫外光探测率
一文了解第四代半导体材料
氧化镓
(Ga2O3)
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氧化镓
功率电子器件领域取得重要进展
中国研发再突破!15亿美元的
氧化镓
市场如何引发多国博弈?
第四代半导体
氧化镓
,浙大杭州科创中心新技术路线制备 2 英寸晶圆
国际首创!浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功制备2英寸
氧化镓
晶圆
未来10年左右,
氧化镓
器件或成为有竞争力的电力电子器件
日本团队合作开发出高品质第三代100mm
氧化镓
外延片
氧化镓
功率半导体6英寸新突破,成本有望大降
世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上
氧化镓
成膜成功
HVPE法
6英寸
晶片
氧化镓
成膜
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