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重庆万国半导体申请沟槽型功率半导体器件及其制备方法专利，提高开关速度与线性区能力
 评论 ⋅  2025-04-18 20:05
苏州晶湛半导体申请发光器件相关专利，提高了发光器件生产良率
 评论 ⋅  2025-04-18 18:58
广州南砂晶圆申请用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及应用专利，有效提高所制得碳化硅晶体的质量
 评论 ⋅  2025-04-17 11:44
商务部新闻发言人就中方针对美方再次提高对华关税实施反制答记者问
 评论 ⋅  2025-04-11 17:10
瀚天天成申请降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷专利，可提高碳化硅外延片质量
 评论 ⋅  2025-04-11 16:30
中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的电学性能
 评论 ⋅  2025-04-08 17:34
天科合达申请在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的专利，能够明显提高原料利用率
 评论 ⋅  2025-03-26 19:09
山东晶镓申请一种紫外光催化辅助的氮化镓晶圆抛光方法专利，提高了氮化镓晶圆的抛光效率
 评论 ⋅  2025-03-21 15:31
上海光通信申请半导体结构相关专利，缩小半导体结构线宽提高器件密度
 评论 ⋅  2025-03-20 11:00
广东芯赛威取得电源管理芯片及电路专利，可提高氮化镓器件在电源应用中的可靠性
 评论 ⋅  2025-03-11 15:59
苏州创芯致尚取得一种SIC MOSFET芯片生产用切割装置专利，提高切割稳定性和精准度
 评论 ⋅  2025-03-07 17:31
江苏芯旺电子科技取得MOSFET器件用制造加工装置专利，提高加工效率
 评论 ⋅  2025-02-26 17:17
北方华创申请工艺腔室及半导体工艺设备专利，双重密封提高射频线圈处的密封性
 评论 ⋅  2025-02-24 10:30
长园半导体设备取得芯片取料装置和芯片生产系统专利，有效提高产品从膜片上取料的成功率
 评论 ⋅  2025-02-18 14:27
上海天岳申请一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体专利，提高SiC衬底质量
 评论 ⋅  2024-12-26 16:43
南京集芯光电取得一种氮化镓生长加热炉专利，解决氮化镓采取和附着问题，提高产量
 评论 ⋅  2024-12-20 16:01
浙之芯申请一种氮化镓传感器及制备方法和装置专利，大大提高氮化镓传感器的制备效率
 评论 ⋅  2024-12-20 15:59
苏州立琻半导体申请p型AlGaN材料及其制备等专利，提高了p型AlGaN材料的空穴浓度
 评论 ⋅  2024-12-20 15:51
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利，提高了器件的功率密度
 评论 ⋅  2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
华虹半导体申请集成半导体器件及其制备方法专利，提高芯片整体抗EMI能力
 评论 ⋅  2024-12-19 13:37
湖南三安半导体申请功率器件专利，可提高钝化层在外围区域的附着力
 评论 ⋅  2024-11-12 16:26
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
广东巨风半导体取得IGBT模块专利，提高模块性能
 评论 ⋅  2024-11-12 15:49
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利，提高集成电路的存储密度
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效
 评论 ⋅  2024-10-30 19:37
英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效
 评论 ⋅  2024-10-30 09:51
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