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芯联集成“
外延
设备”专利获授权
长宇科技取得一项
外延
生长基盘用高均质性特种石墨材料的制备方法专利,能够保持产品制备的稳定性
广东中科半导体微纳制造技术研究院
外延
平台高纯液氨采购项目(二次)招标公告
富加镓业年产10000片6英寸氧化镓单晶及
外延
片生长线开工
国创中心联合研发中心逐步发力,“超高性能同质
外延
Micro-LED”取得新突破
中国电科48所8英寸碳化硅
外延
设备获升级
西安奕斯伟材料申请用于
外延
设备的处理方法专利
瀚天天成“一种降低碳化硅
外延
片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权
晶盛机电:12英寸硅减压
外延
生长设备顺利实现销售出货,ALD设备处于验证阶段
苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利,提高半导体
外延
层的性能
普兴电子6英寸低密度缺陷碳化硅
外延
片产业化项目环评第二次公示
天域半导体碳化硅
外延
项目即将试产
北京理工大学团队在杂化范德华
外延
生长研究方向取得重要突破
晶钻科技同质
外延
单晶金刚石新突破
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件
外延
设计结构专利,降低功率器件制造成本
8英寸碳化硅垂直腔
外延
设备为什么这么热?
宁波晶钻同质
外延
单晶金刚石再次突破3.35英寸
香港首个第三代半导体氮化镓
外延
工艺研发中心将成立
西安电子科技大学GaN-on-Si/SOI
外延
片采购公开招标公告二次
西安电子科技大学GaN-on-Si/SOI
外延
片采购公开招标公告
科大立安中标安意法半导体8英寸碳化硅
外延
、芯片项目
CASICON晶体大会前瞻|才道精密仪器马观岚:SiC/GaN衬底和
外延
片检测设备国产化
CASICON晶体大会前瞻|中国电子科技集团第五十五研究所李赟:碳化硅
外延
如何协同器件发展
CASICON晶体大会前瞻|中国电科第十三研究所芦伟立:面向特种器件应用的SiC多层超厚
外延
进展及机遇
CASICON晶体大会前瞻 |北京大学教授沈波:AlN单晶衬底和
外延
薄膜的制备
安徽晶隆年产630万片含SiC
外延
材料项目封顶
安意法半导体8英寸碳化硅
外延
、芯片项目(生活服务设施区)全面封顶,8月将实现点亮投产
总投资55亿,晶隆半导体
外延
材料产业园EPC项目封顶
晶盛机电:在功率半导体领域,先后成功研发8英寸及12英寸常压硅
外延
生长设备并实现销售
CASICON晶体大会前瞻|山东华光:高功率半导体激光器核心
外延
材料及芯片研究进展
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