首页 > 新闻资讯 > 搜索
芯联集成“外延设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-09-23 15:34
上海壁仞科技取得封装结构专利，提高散热性能
 评论 ⋅  2024-09-20 11:00
长宇科技取得一项外延生长基盘用高均质性特种石墨材料的制备方法专利，能够保持产品制备的稳定性
 评论 ⋅  2024-09-20 10:56
晶合集成申请一种半导体结构的制作方法及动态调整系统专利，提高半导体结构的良率
 评论 ⋅  2024-09-19 17:13
扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利，降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
龙腾股份取得 SGT-MOSFET 半导体器件制备方法相关专利，避免出现第一氧化层过薄
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
浙江奥首材料科技申请一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液专利，减少剥离液中的腐蚀
 评论 ⋅  2024-09-19 17:01
芯源微获得发明专利授权：“晶圆搬运装置及晶圆搬运方法”
 评论 ⋅  2024-09-18 11:49
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利，提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 15:53
上海积塔半导体申请半导体结构相关专利，避免因相邻膜层刻蚀选择比过大形成底切结构
 评论 ⋅  2024-09-11 14:14
智芯微“光刻胶均匀覆盖晶圆表面的仿真方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-09-10 09:58
士兰微“MEMS微镜及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-09-10 09:57
福建平潭瑞谦智能科技取得一种用于半导体模块封装的视觉检测设备专利
 评论 ⋅  2024-09-09 14:11
河北同光半导体取得SiC专利，实现将源于生长区石墨件腐蚀引起的包裹物分布控制在晶体边缘
 评论 ⋅  2024-09-09 08:34
士兰微“功率封装结构及其引线框”专利获授权
 评论 ⋅  2024-09-06 11:59
扬杰科技申请一种改善双极退化的碳化硅 MOSFET 器件及制备方法的专利
 评论 ⋅  2024-09-05 13:58
盛合晶微半导体（江阴）申请 3D 垂直互连封装结构及其制备方法专利，实现高密度封装
 评论 ⋅  2024-09-04 14:55
华羿微电取得一种宽 SOA 屏蔽栅 MOSFET 器件及制备方法专利，提升器件整体的 SOA
 评论 ⋅  2024-09-03 11:03
江苏能华微取得 GaN 肖特基二极管相关专利，有效提高了 GaN 肖特基二极管的性能
 评论 ⋅  2024-09-03 10:56
中图科技申请一种高深度微结构图形化半导体衬底及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-08-30 17:55
西安奕斯伟材料申请用于外延设备的处理方法专利
 评论 ⋅  2024-08-30 15:58
苏州科阳半导体取得晶圆封装相关专利
 评论 ⋅  2024-08-30 15:53
武汉凡谷获得实用新型专利授权：“天线振子及天线”
 评论 ⋅  2024-08-29 17:42
瀚天天成“一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-29 16:08
苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利，提高半导体外延层的性能
 评论 ⋅  2024-08-29 10:52
武汉凡谷取得用于两端面形状不同的杆类部件的正反向识别输送装置专利
 评论 ⋅  2024-08-29 09:58
河北博威集成电路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-08-26 15:36
河北同光半导体取得超高真空碳化硅原料合成炉系统专利
 评论 ⋅  2024-08-21 22:13
积塔半导体“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-21 16:08
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部