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镓未来完成亿元级B++轮融资,专注
氮化镓
功率器件研发
英诺赛科与联合电子成立
氮化镓
(GaN) 技术联合实验室致力于新能源汽车电力电子系统开发
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半导体智能制造项目暨芯片综合配套项目签约
中科半导体发布
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机器人智能快充芯片
比利时
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厂商BelGaN破产损失高达100万欧元
安徽格恩半导体申请
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基半导体激光器元件专利,提升限制因子
ROHM 回应合作方台积电计划 2027 年退出
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:暂无重大影响
国家重点研发计划“大尺寸
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单晶制备用高温超高压反应釜设计制造技术”项目启动暨实施方案论证会召开
英飞凌宣布:在300mm
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生产路线图方面取得突破!
台积电证实:未来两年内逐步退出
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纳微半导体携手力积电,启动8英寸
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晶圆量产计划
雷电微力:研制低成本低剖面
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组件 部分已量产
氮矽科技推出TOLL封装的增强型硅基
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英诺赛科与美的威灵合作,加速
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在空调电机应用!
英诺赛科与美的威灵达成
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战略合作
西交利物浦大学刘雯课题组招收
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功率器件方向博士生(英国利物浦大学学位)
国产首颗机器人关节“
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驱动器芯片”正式商用
CSPSD2025 | 近30位专家学者齐聚探讨
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及超宽禁带功率器件新未来!
CSPSD 2025前瞻|英诺赛科孟无忌:GaN“上车”之路——
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在电动汽车中应用方案与优势
CSPSD 2025前瞻| 氮矽科技罗鹏:集成驱动
氮化镓
芯片的必要性与发展趋势
江南大学成果推介:
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微波功率器件
CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰:
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功率器件辐射效应与加固技术研究
CSPSD 2025前瞻|新微半导体王庆宇:
氮化镓
赋能未来,突破功率极限,开启能效革命
意见征集 | 北大光电院牵头的异质外延
氮化镓
外延层厚度测试方法标准形成征求意见稿
Polar与瑞萨电子达成硅基
氮化镓
技术授权协议
YS/T 1654-2023《
氮化镓
化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》标准解读
英诺赛科发布自主开发的1200V
氮化镓
产品
比利时
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厂商BelGaN拟被2.5亿欧元收购,计划生产光芯片
江西誉鸿锦取得亚垂直结构
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肖特基势垒二极管及其制造方法专利
意法半导体与英诺赛科签署
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技术开发与制造协议
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