首页 > 新闻资讯 > 搜索
北方华创“工艺配方的管理控制方法、装置及半导体设备”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-30 10:34
智芯微“用于电源监测的嵌入式系统、解码方法和解码芯片”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-30 10:33
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利，能够提高半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-10-29 18:00
无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利，保证器件的高速开关
 评论 ⋅  2024-10-29 17:53
山东粤海金半导体取得专用碳化硅衬底Wafer倒角装置专利，可实现自由设计倒角形状
 评论 ⋅  2024-10-29 11:35
汉斯半导体取得一种 IGBT 模块封装外壳抛光装置专利，抛光效率高
 评论 ⋅  2024-10-29 11:28
荣耀“封装芯片结构及其加工方法、和电子设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-29 11:02
苏州敏芯微电子申请力传感器的封装结构及其制造方法专利，解决现有力传感器力传递灵敏度低的问题
 评论 ⋅  2024-10-28 17:54
苏州高视半导体申请基于晶圆检测系统的晶圆检测方法专利，降低晶圆缺陷的检测成本
 评论 ⋅  2024-10-28 17:43
中芯国际申请光刻机焦距监控相关专利，实现在线焦距监控且对产品晶圆图形影响小
 评论 ⋅  2024-10-28 16:37
华海清科“驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-25 11:01
北方华创“一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-25 10:54
上海华虹宏力申请接触孔自对准的MOSFET制造方法专利
 评论 ⋅  2024-10-24 10:03
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利，采用封装结构得到的 MOSFET 散热性能佳
 评论 ⋅  2024-10-24 10:02
华润微“一种LIGBT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-24 09:13
京东方“衬底基板、显示基板以及光探测基板”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-21 16:56
昂瑞微“一种芯片及其UserID检测电路”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-21 16:52
华虹宏力“一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-21 16:50
杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
江苏集芯申请大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置专利，保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致
 评论 ⋅  2024-10-21 10:06
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-18 16:18
武汉新芯取得清洗装置及半导体制造设备专利，去除晶圆边缘残留物避免影响后续工艺
 评论 ⋅  2024-10-17 14:46
和其光电“用于光纤传感器封装的高精密多维调节对位系统及方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-17 14:44
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-17 14:43
中科飞测“光束整形系统”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-12 10:15
格兰菲申请功率半导体器件结构及其制备方法专利，有利于终端区面积缩小
 评论 ⋅  2024-10-11 10:53
通富微电“半导体测试系统的控制方法及半导体测试系统”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-10 15:30
厦门三安集成电路申请射频功率放大器相关专利
 评论 ⋅  2024-09-27 20:50
忱芯科技申请碳化硅功率半导体器件的驱动板和测试方法专利
 评论 ⋅  2024-09-27 20:45
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部