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突破12英寸!科友半导体成功制备12英寸碳化硅晶体
Science Advances:南京大学联合团队突破外延衬底限制,实现非晶衬底上高质量半导体薄膜外延生长
深圳大学宽禁带半导体功率器件刘新科研究员团队:通过PEALD-GaOₓ界面工程实现高性能垂直氮化镓MOS电容器
北理工课题组在低维偏振热辐射纳米光源方面取得新进展
北京大学电子学院魏贤龙课题组在二维氮化硼的介电强度研究中取得重要进展
西电郝跃院士团队张进成教授、宁静教授在金刚石基氧化镓热管理领域 取得突破性进展
1200V全垂直硅基氮化镓MOSFET
自主突破,九峰山实验室首发6英寸InP激光器与探测器外延工艺
我国科学家合成了钻石里的“六边形战士”
清华大学化学系团队合作开发出理想的极紫外(EUV)光刻胶材料
中国科学家首创“蒸笼”方法“长出”高性能晶体管新材料
南京大学王欣然教授团队Nature Materials:实现晶圆级二维半导体堆垛调控新进展
8N8!中宜创芯碳化硅粉体纯度刷新全球行业记录
宁波材料所开发出4英寸超薄、超低翘曲金刚石自支撑薄膜
新突破︱镓仁半导体成功制备VB法100毫米(010)面氧化镓单晶衬底
刷新纪录!郑州大学实现大尺寸高质量金刚石激光晶体批量生长
稀土卡关危机!中国限制出口德国车厂恐停工
南京工业大学先进材料AM:界面诱导生长法制备高效锡基钙钛矿发光二极管
MaM发表深圳大学刘新科团队综述文章:下一代功率器件的GaN-on-diamond技术
朱铁军教授团队《Science》:半赫斯勒窄带半导体材料的压电效应
征世科技成功研发30 mm×55 mm单晶金刚石散热片
重大突破!吉林大学领衔,高压人工合成出陨石中的超级钻石“六方金刚石”
新突破|镓仁半导体实现VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂
镓仁半导体氧化镓单晶生长突破性成果在晶体领域顶刊Crystal Growth & Design上发表
金刚石基晶体管,里程碑突破!
量子材料领域十年难题获破解,理想外尔半金属首次合成
东南大学团队在日盲光电探测领域取得新进展
日本国立材料研究所廖梅勇团队实现金刚石DUV探测器低电压高增益新突破!
最高记录!柔性热电器件,Science!
水凝胶半导体材料问世 可作为理想生物电子界面
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