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新突破︱镓仁半导体成功制备VB法100毫米(010)面氧化镓单晶衬底
 评论 ⋅  2025-06-11 10:49
国际上首次！基于晶圆级高导热异质集成衬底实现已报道的最高截止频率氧化镓射频器件
 评论 ⋅  2023-11-08 19:39
山东大学与南砂晶圆团队在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得重大突破
 评论 ⋅  2023-08-30 19:13
北大物理学院量子材料科学中心高鹏研究员与合作者首次在玻璃衬底上异质外延出准单晶氮化镓薄膜
北大物理学院量子材料科学中心高鹏研究员玻璃衬底上异质外延准单晶氮化镓薄膜
 评论 ⋅  2021-08-18 11:35
奥趋光电正式批量量产新一代超宽禁带半导体高端材料—— 高质量氮化铝单晶衬底系列产品
 评论 ⋅  2021-06-08 21:25
奥趋光电正式推出高性能UVC-LED芯片衬底材料大批量颠覆性行业综合解决方案
奥趋光电UVC-LED芯片衬底材料大批量颠覆性
 评论 ⋅  2021-02-01 09:54
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