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国际首发！深圳平湖实验室研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延
 评论 ⋅  2025-08-07 18:12
Science Advances：南京大学联合团队突破外延衬底限制，实现非晶衬底上高质量半导体薄膜外延生长
 评论 ⋅  2025-07-30 12:11
武大、西电合作攻克范德华外延氮化镓高质量成核与生长难题，为跨材料、跨功能的宽禁带半导体异构集成扫清了关键障碍
 评论 ⋅  2025-07-08 17:34
大连理工大学团队：通过提高晶体质量增强 β-Ga₂O₃ 薄膜的光电突触可塑性
 评论 ⋅  2025-05-27 16:50
山东大学/晶镓半导体成功研发4英寸高质量GaN单晶衬底
 评论 ⋅  2025-04-18 12:02
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质外延膜
北京大学III族氮化物外延层薄膜宽禁带半导体
 评论 ⋅  2023-06-25 08:05
简述影响 MPCVD 法制备金刚石质量的因素研究
 评论 ⋅  2023-02-03 18:44
山东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体
 评论 ⋅  2022-09-28 15:53
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
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