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半导体所在硅基外延量子点激光器
研究
方面取得重要进展
中科院微电子所:在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性
研究
方面取得进展
厦门大学张洪良团队在宽禁带氧化镓半导体掺杂电子结构
研究
取得进展
南京邮电大学氧化镓创新中心(IC-GAO)氧化镓日盲紫外阵列成像器件
研究
取得新突破
中国半导体十大
研究
进展候选推荐——溶液生长BiI/BiI3范德华异质结构实现高灵敏X-射线探测
简述基于可调谐半导体激光吸收光谱的氧气浓度高灵敏度检测
研究
基于金刚石的先进热管理技术
研究
进展
复旦
研究
团队实现单芯片紫光Micro-LED超过10Gbps通信速率
厦大与黑龙江大学
研究
人员合作在有机光子器件及其集成领域取得重要进展
西安交大科研人员在垂直结构hBN/BAlN异质结电学特性
研究
方面取得重要进展
厦大
研究
团队在高灵敏、自供电氧化镓日盲紫外光电探测器
研究
取得进展
国际首次!科研团队在基于碳化硅硅空位色心的高压原位磁探测
研究
方面取得突破
复旦大学
研究
团队实现自激活存算一体超快闪存
简述HVPE 法 GaN 单晶掺杂
研究
新进展
突破!中国科大
研究
团队创造性开发出半导体材料激光直写方法
半导体所在激子-声子的量子干涉
研究
中获进展
简述GaN功率器件应用可靠性增长
研究
简述影响 MPCVD 法制备金刚石质量的因素
研究
简述Ir衬底上金刚石半导体异质外延生长技术与机理
研究
进展
简述高压 SiC MOSFET
研究
现状与展望
厦大
研究
团队利用蓝紫光LED泵浦实现双波长放大的聚合物光波导放大器
东大团队
研究
成果荣膺2022年度“中国半导体十大
研究
进展”
2022年度中国半导体十大
研究
进展
清华大学
研究
组在低维半金属半导体接触
研究
中取得进展
上海光机所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得
研究
进展
长春应化所在晶态有机发光二极管
研究
中取得重要进展
东南大学两项
研究
成果发表于电子器件领域顶会IEDM
俄亥俄州立大学的碳化硅MOSFET可靠性
研究
之短路能力
中国科大在低维光伏材料点缺陷性质
研究
中取得新进展
清华大学
研究
团队合作利用激光加工氮化硼实现大规模高性能量子光源
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