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MXene范德华接触在
氮化
镓高电子迁移率晶体管中的应用
半导体产业快速发展带动下 PBN(热解
氮化
硼)市场需求空间广阔
南科大电子系化梦媛团队揭示与
氮化
镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
简述
氮化
镓的合成制备及展望
简述
氮化
镓晶格排列氧化
氮化
镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
清华大学研究团队合作利用激光加工
氮化
硼实现大规模高性能量子光源
氮化
镓栅极驱动专利:RC负偏压关断专利技术之台达电子篇
硅基
氮化
镓Micro-LED,实现高速可见光通信信号探测
氮化
镓栅极驱动专利:RC负偏压关断技术之松下篇
长平时代发布用于车载电子的900V硅基
氮化
镓外延片
半导体所等研究团队合作在
氮化
物外延方法及新型器件研究中取得系列进展
技术分享:基于
氮化
镓单晶衬底的增强型
氮化
镓HEMTs
研究人员利用
氮化
镓开发新型电子设备
苏州纳米所器件部樊士钊等JAP:利用电子通道衬度成像方法分析
氮化
镓异质结中的穿透位错和失配位错
中科院半导体所在
氮化
物材料生长界面研究方面取得新进展
北大材料学院刘磊课题组在六方
氮化
硼材料的制备及其同位素效应研究中取得系列进展
中科院微电子研究所在
氮化
镓—金刚石异质集成方面取得新进展
中科院微电子所在
氮化
镓—金刚石异质集成方面取得新进展
北大物理学院高鹏课题组揭示
氮化
物异质结界面声子输运机制
中科院苏州纳米所团队在石墨烯调控的
氮化
镓远程外延机理研究获新进展
氮化
镓晶体管和碳化硅MOSFET
南科大马俊在新型多沟道
氮化
镓电力电子器件领域取得进展
玻璃衬底上首次“异质外延”出准单晶
氮化
镓薄膜
玻璃衬底
异质外延
准单晶
氮化镓
薄膜
郑州大学物理学院在半导体光电器件领域取得突破性进展
郑州大学
物理学院
石墨相
氮化碳
g-CN
薄膜
可控制备
光电器件
领域
33W GaN快充“杀”出江湖 国内
氮化
镓IDM企业加速布局
奧趋光电:
氮化
铝单晶生长技术进展及其未来挑战
苏州纳米所孙钱团队研制出一种新型
氮化
镓半导体激光器
苏州纳米所
孙钱
研制
新型氮化镓
半导体
激光器
5分钟充50%!腾讯红魔游戏手机6将标配120W
氮化
镓充电器
第三代半导体材料
氮化
镓发展历程及制备工艺
用
氮化
镓消除激光雷达的障碍
第
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3
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