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九峰
山
实验室推氧化镓科研级功率单管及coupon to wafer流片平台
山
东大学/晶镓半导体成功研发4英寸高质量GaN单晶衬底
重磅发布|九峰
山
实验室GaN系列成果首次发布!
九峰山实验室
GaN
研究成果
8英寸
氮化镓衬底
中
山
大学光子感知团队在国际顶级光学期刊《Laser & Photonics Review》发文
九峰
山
实验室再次在硅光子集成领域取得突破性进展
九峰
山
实验室+华中科大联合攻关,一种新型光刻胶技术完成初步工艺验证
山
东大学郝晓涛团队在有机半导体光伏器件物理研究中取得新进展
山
东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石
SiC
GaN
衬底
九峰
山
实验室着力破解太赫兹器件频率瓶颈
工艺打通!九峰
山
实验室全面启动碳化硅(SiC)工艺技术服务
中
山
大学王钢教授团队在NiO/β-Ga₂O₃异质结在功率器件领域的研究进展
山
东大学陶绪堂教授团队提出一种新型氧化物X射线探测材料的设计思路
台湾中
山
大学突破6英寸碳化硅晶体生长!
山
东省新一代半导体技术与系统等重点实验室批准建设
中
山
大学研究团队首次实现了基于ε-Ga2O3薄膜的SAW射频谐振器
山
东大学成功研制高质量4英寸氧化镓晶体
山
东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学
晶体材料
4HSiC
衬底
8英寸
山
海半导体推出国际先进水平32位超高分辨率ADC
中电科二所研制出
山
西省首片碳化硅芯片
山
东有研8寸单晶硅片拉制成功
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