一周要闻回顾：半导体行业风起云涌，众多公司动作频频，多项研究获新进展

 

 

 

美国白宫更新关键和新兴技术清单（ list of Critical and Emerging Technologies，简称“CET清单”），涉及超算、通信和网络技术、人工智能（AI）、半导体和微电子等19类技术，美国政府表示该清单有助于为即将出台的美国技术竞争力和国家安全战略提供信息。此次白宫在其关键和新兴技术名单上增加了5个新的技术领域，包括高超音速能力、定向能源、可再生能源发电和储存、核能和金融技术。

 

 

日本《朝日新闻》2月8日报道，日本政府已经制定了扶植半导体产业的具体政策。作为新建工厂获得补贴的条件，企业被要求必须连续生产十年。在人才培养方面，日本政府还将在全国多所国立高等专科学校设置相关课程。报道称，一旦半导体产品断供，智能手机和汽车等诸多行业都将陷入生产停滞。眼下需求的快速增长导致全球性的半导体短缺，企业被迫展开货源争夺战。美国通过了确保重要物资稳定供应的法案，对半导体行业提供支持。日本也在所谓“维护经济安全”的呼声中，试图提供巨额补贴。

 

 

当地时间2月7日报道称，美国、中国、韩国等国家正投入巨资扩大芯片产业，现在欧盟也在效仿。欧盟内部市场专员蒂埃里·布雷顿将在2月8日公布欧盟的《芯片法案》。根据该法案，到2030年，欧盟将投入大约450亿欧元用于支持芯片生产、试点项目和初创企业，最重要的是建设大型芯片制造工厂。具体来看，300亿欧元促进芯片产业，120亿欧元用于量子芯片等试点项目。目标是到2030年，欧盟在全球芯片生产的份额将从目前的10%增加到20%。

 

 

荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）近日警告称，如果不采取紧急行动振兴半导体产业，欧洲就有可能跌落至在全球半导体领域毫无影响力的境地。该公司首席执行官彼得·温尼克认为，全球芯片行业短期内没有供应过剩的风险。

 

在全球“缺芯”持续困扰众多产业之际，发展半导体产业已经成为全球多个国家地区的共识。彼得·温尼克在致投资者的信中预计，今年，中国、欧盟、日本、韩国和美国在芯片行业的资本支出预计将从2021年的1500亿美元增加一倍。他表示：“我们意识到，这引发了对潜在供应过剩的担忧……然而，我们认为，半导体行业明显的增长前景确实需要大幅提高产能。”他相信芯片行业会设法避免供应过剩的情况。“行业合作伙伴将付出足够的努力，以维持一个无障碍、高效的创新生态系统。”彼得·温尼克表示。

 

他提出，欧洲有必要改善由上至下的整个芯片产业链，包括从芯片组件和电子产品等。阿斯麦还呼吁欧洲成立一个芯片联盟，并尽快集体讨论出一份“长期半导体创新路线图”。该公司警告称：“如果不采取行动，欧洲半导体产能(在全球占比)将降至4%以下，这将使其在全球范围内几乎无关紧要。”

 

阿斯麦认为，要提振欧洲芯片产业，这份法案远远不够。对于欧洲来说，无论是芯片产业上游的产能，还是芯片产业下游的需求，目前都远远落后于美国和亚洲。

 

 

墨西哥汽车工业协会（AMIA）表示，拖累墨西哥汽车业的全球半导体短缺应在今年全年恢复正常，芯片供应应在2022年下半年达到疫情前的水平。AMIA主管Fausto Cuevas在新闻发布会上表示:“我们预计半导体短缺将在全年企稳，接近下半年时可能会回到疫情爆发前的水平。”

 

 

据Gartner的最新预测显示，2022年全球电动车(纯电动和插电式混合动力车)出货量将从2021年的400万辆增加至600万辆。另外，全球公共电动车充电桩将在2022年从上一年的160万个增加至210万个。Gartner预测，电动乘用车将占到2022年电动车总出货量的95%，客车、货车和重型卡车仅占5%。Gartner分析，由于中国要求车企在2030年实现电动车占总销售量40%的目标，并且车企正在纷纷建立新的电动车制造工厂，因此Gartner预计大中华区将占2022年全球电动车出货量的46%，达到290万辆，位居全球榜首。西欧和北美将分别以190万辆和85.53万辆位居第二和第三。

 

 

当地时间2月4日，美国众议院以222票赞成、210反对的投票结果通过了近3000页的《2022美国竞争法案》获美众议院通过。该法案将划拨520亿美元巨额投资和补贴，支持半导体制造行业，扩大本国芯片工厂的建设。据路透社华盛顿报道，该法案旨在提高美国对中国的竞争力，支持美国芯片产业，其中包括为半导体制造和研究提供520亿美元补贴。报道称，拜登政府正在说服国会批准资金，以帮助促进美国的芯片生产，因用于汽车和电脑的关键零部件短缺加剧了供应链瓶颈。

 

 

当地时间2月7日，拜登政府将33家中国实体列入商务部的“未经核实名单”(Unverified List)，对这些实体从美国出口商获取产品实施新的限制，并要求希望与这些中国公司做生意的美国公司进行额外的调查。这33家大多数都是半导体行业内的公司，也包括光学公司、一家风机涡轮叶片公司以及大学的国家实验室和其他公司。目前，“未经核实名单”中共有175家实体，除中国外还包括俄罗斯和阿拉伯联合酋长国实体。突发！美商务部下黑手，33家中国企业加入所谓的“未经核实名单”

 

韩国将创建一个芯片工程师数据库，以监控他们进出该国的行程，防止关键技术落入外国竞争对手手中。据《日经亚洲评论》报道，上述措施是加强知识产权保护五年计划的一部分，要求列出在电池、有机发光二极管显示器（OLED）、船舶和钢铁等12项在“国家核心技术”方面具有先进知识的人员名单，企业和研究机构将为符合这些标准的人员登记。韩国政府则追踪这些名单上人员的行程。另外，数据库将不限于韩国国民，受雇于韩国公司或外国企业当地子公司的外国工程师也将包括在内。据了解，在过去的5年中，韩国发生了397起技术泄露事件。对于三星电子等依赖技术优势的巨头来说，技术泄露已经成为一个日益严重的问题，韩国政府旨在遏制此类事件的发生。

 

 

 

2月10日消息，罗姆将在2022年春季之前开始量产被视为新一代半导体的氮化镓（GaN）半导体。这是能提高供电和控制效率的“功率半导体”，据称和此前的硅半导体相比，新产品能把电流切换时的损耗减少6成。罗姆将在日本滨松市的工厂建设生产设备，首先面向5G基站等供货。除氮化镓半导体以外，罗姆还在量产新一代碳化硅（SiC）功率半导体。碳化硅功率半导体更高耐压，将面向纯电动汽车的核心零部件销售，实现两种功率半导体的分栖共存。

 

 

2月11日，据华尔街日报消息，自1月下旬以来，日本两家生产闪存芯片的工厂因污染问题而发生停产事件，这一问题可能会影响已经陷入困境的半导体供应链。这两家工厂由日本铠侠与总部位于美国加州圣何塞的Western Digital合作经营。两家工厂生产的NAND闪存芯片用于包括智能手机、电脑和服务器在内的许多产品。

 

 

AMD官方正式宣布，已获得了有关收购赛灵思的所有必要批准，预计将于 2022 年 2 月 14 日前后完成收购。2020年10月，AMD宣布计划斥资350亿美元(股票形式)收购FPGA大厂赛灵思，以丰富自家产品线，与现有CPU处理器、GPU显卡、加速计算卡形成完整的高性能计算体系。未来，AMD极有可能在增加CPU、GPU中集成赛灵思FPGA IP，从而和Intel、NVIDIA展开更有针对性的竞争。

 

AMD总裁兼CEO苏姿丰曾指出，这笔收购将为AMD带来一支卓越的团队。AMD通过有效整合赛灵思在FPGA方面的优势，能够提供具有更广泛高性能的计算产品组合，提供从CPU到GPU、ASIC、FPGA系统级解决方案。同时，借助赛灵思在5G、通信、自动驾驶和行业领域的资源，AMD能够将高性能计算能力带入更多领域，扩展到更广泛的客户群体中。

 

 

当地时间周二（2月8日），格芯首席执行官Tom Caulfield在一份声明中表示，公司签署了更多长期合作协议，有30家客户承诺出资合计32亿美元以帮助公司扩产，以支持强劲的芯片需求。据《巴伦周刊》报道，Caulfield表示，2021年，格芯“通过利用普及半导体解决方案的需求和在半导体供应链中发挥关键作用，加速了我们的商业计划”。“我们执行得很好，相信我们将在2022年实现强劲的收入和盈利增长。”

 

格芯首席财务官David Reeder则表示，当前的芯片短缺问题不会在2022年得到解决。他指出，终端市场的需求正以中位数到高位数的速度增长，但在格芯所在的市场上，目前已宣布的新增产能在未来五年内仅以每年4%的速度增加。

 

 

据外媒报导，富士康呼应中国制造2025 正准备投资规模高达600亿人民币的半导体计划。而据知情人士透露，该项目大部分事业费用将由珠海政府资助，并被列为顶级科技项目之一，并获得补贴及税收减免等优惠。消息显示，富士康正在跟珠海市政府谈判投资半导体事宜，目前已经进入最后阶段了。

 

根据爆料消息，富士康及子公司夏普联合与珠海市政府成立一家合资公司，项目总投资约600亿元人民币，不过大部分投资都会来自于珠海市政府以国家高新技术的名义申请补贴及税收减免。该晶圆厂将于2020年开始建设，富士康也将借此来挑战台积电等代工行业领先者。该工厂将制造用于超高清8K电视的芯片、摄像头图像传感器以及工业应用和连接设备的各种传感器芯片，最终将扩大珠海工厂的12英寸产能，为机器人和自动驾驶汽车制造更先进的芯片。晶圆厂将不止为富士康制造芯片，也为其他厂商开放代工服务。

 

 

2月10日，苏州东微半导体股份有限公司（简称“东微半导”）正式登陆科创板，股票代码为“688261”。东微半导本次公开发行股票数量为1684.41万股，发行价格为130元/股/。东微半导业绩整体呈稳健增长态势，此次上市欲围绕主营业务发展，致力于成为国际领先的功率半导体厂商。此次上市，东微半导计划募资93869.10万元，分别用于超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产业化项目、研发工程中心建设项目和科技与发展储备资金。其中，科技与发展储备资金拟投入45700万元，占总募资金额的48.68%。东微半导计划将款项分别用于补充流动资金和产业并购及整合。

 

 

旷达科技集团股份有限公司1月26日发布公告称，公司重要参股公司芯投微电子科技（上海）有限公司与合肥高新技术产业开发区管委会于当日签订了《芯投微滤波器芯片研发生产总部项目投资合作协议书》。公告资料显示，芯投微设立合肥芯投微电子有限公司作为项目主体公司，在合肥高新区建设滤波器芯片及模组研发、设计及生产总部项目，该项目总投资55亿元人民币，分两期实施。

 

 

泰科天润官方消息，目前泰科天润碳化硅芯片量产线已进入生产状态中，预期年产6万片6英寸碳化硅功率芯片，可实现国产碳化硅功率半导体的自主控制，填补国内产业空白。并将通过实力、资产规模、业务开拓、市场占有率等方面的跨越式发展，加速提升市场竞争力，向国内各省市和国际市场扩张。据了解，泰科天润碳化硅芯片项目位于浏阳经开区（高新区）新能源标准厂区内，于2019年年底正式开建，该项目一期总投资5亿元，一期主要建设年产6万片6英寸的碳化硅功率芯片量产线，可实现年产6万片6英寸碳化硅晶圆。整个项目投产满产后，年产值预计可达13亿至14亿元。

 

近日，2022年北京市“3个100”市重点工程发布。小米汽车、理想汽车全球旗舰工厂、中芯北方12英寸集成电路生产线（二期）工程、第三代等先进半导体产业标准化厂房、北方华创半导体装备研发及产业化扩产项目、华卓精科半导体装备关键部件研发制造二期项目、第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目、国望光学系统项目等都榜上有名。

 

 

2月8日，广州市发展和改革委员会在官网正式公布广州市2022年重点项目计划。在广州市2022年重点项目计划中，涵盖多个半导体产业项目，涉及模拟芯片、碳化硅芯片、MEMS传感器等领域。例如，重点建设项目计划包括粤芯半导体项目二期项目、广东芯粤能半导体有限公司电子元器件制造项目（一期）、广东盈骅总部和微处理芯片封装载板项目、志橙半导体SiC材料研发制造总部等。重点建设预备项目计划包括粤芯半导体项目三期、兴森科技FCBGA封装基板项目、艾佛光通滤波器生产研发基地、风华高科生产制造基地及总部项目等。

 

 

国家发展改革委官网日前发布《关于深圳建设中国特色社会主义先行示范区放宽市场准入若干特别措施的意见》。其中，在放宽和优化先进技术应用和产业发展领域市场准入方面，《若干特别措施》强调，创新市场准入方式建立电子元器件和集成电路交易平台。

 

 

近日，在江苏富乐华功率半导体研究院，高新区与无锡海古德新技术有限公司成功签约，清华大学国家863科技成果转化项目——年产1020万片半导体功率模块使用陶板基板项目正式落户高新区半导体产业园。该项目由无锡海古德投资6亿元创建江苏海古德新技术有限公司，占地80亩，厂房面积7万平方米，新上六条流延线及排胶线，新购烧结炉、研磨机、激光粒度分析仪、气相色谱仪等进口设备，年产氮化铝基板720万片、氮化硅基板300万片，年可实现开票10亿元。

 

2月6日消息，据中国台湾经济日报报道，环球晶圆（GlobalWafers）收购德国晶圆制造商世创（Siltronic）的交易，因未能在 1 月 31 日截止期限前获得德国监管机构批准而告终。环球晶圆表示，将于 2022 年至 2024 年投入千亿元新台币的资本支出，其中包括扩建新厂。环球晶圆董事长徐秀兰指出，即使公开收购世创一案未果，他们在事前已规划双轨策略。环球晶圆提到，将考虑进行多项现有厂区及新厂扩产计划，包含 12 寸晶圆与磊晶、8 寸与 12 寸 SOI、8 寸 FZ、SiC 晶圆（含 SiC Epi）、GaN on Si 等大尺寸次世代产品。报道称，扩产计划涵盖亚洲、欧洲和美国地区的投资，总投资金额最高达 1000 亿元新台币（约 229 亿元人民币），包括扩充现有厂区及兴建新厂，新产线产出时间预计从 2023 年下半开始逐季增加。

 

 

2021年12月，华羿微电子股份有限公司完成数亿元融资，投资方包括盛宇投资旗下多只基金、欣旺达、超越摩尔、陕投基金等。华羿微电成立于2017年，其官微显示，公司是天水华天电子集团股份有限公司旗下专业从事半导体功率器件研发、生产、销售的企业。华羿微电源起于2008成立的西安后羿半导体，是国内独特的既具有丰富的自研MOSFET设计产品线，同时又给海外功率器件大厂提供功率器件封装代工业务的企业。华羿微电已量产的产品达到400余种，自主产品主要分为沟槽型功率MOSFET（中/低压）和屏蔽栅沟槽型功率MOSFET（SGT）（中/低压）等系列；封测产品主要有TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263、PPAK、DPAK、IPAK、TO-3P、TO-247、TO-264、IPM等系列。该公司产品可广泛应用于电动车、汽车电子、5G基站、电动工具、储能、消费电子等领域。

 

 

安徽承禹半导体材料科技有限公司(以下简称“承禹新材”)生产的碲锌镉单晶棒及晶片获得中科院半导体所《关于第三代前沿半导体材料碲锌镉单晶棒及晶片检测检验报告》。报告显示，承禹新材生产的碲锌镉单晶棒及晶片在红外透过率等综合参数性能、产品良率、晶棒及晶片尺寸规格，尤其是3英寸的全单晶圆片等几项关键指标均国内领先，部分指标追平及领先国际技术水平。

 

依托蚌埠水利建设投资有限公司，设立水利“双招双引”投资基金，搭建合作发展平台。投资1亿元立成安徽承禹半导体新材料有限公司，科创团队以技术入股，共同建设具有国际领先水平与规模的碲锌镉半导体单晶材料、晶片及探测器模块化部件生产线，预计达产后总产值可达30亿元。2021年12月，首批碲锌镉单晶棒出炉，产品送至中科院半导体所检验，于近日获得检验报告。目前，产品已获得两家重点装备科研单位订单。

 

 

全球光刻机龙头厂商ASML发布了2021年度报告。报告显示其2021年度营收186亿欧元，毛利率52.7%，研发支出25亿欧元，净利润达59亿欧元，各项业绩指标都大幅增长，员工总数也达到了3.2万多人。在这份2021年度报告当中，ASML也提到了对于其商业秘密、专有客户数据、知识产权或其他机密信息遭到第三方或自家员工窃取的担忧.ASML称，了解到与之前因窃密而被判赔偿的XTAL公司的相关公司——东方晶源可能正积极地在中国销售侵犯ASML知识产权的产品。已经联系了部分客户要求暂停与XTAL有关联的东方晶源的业务往来，并已告知中国政府相关情况。其正在“密切关注这一情况，并准备在适当的时候采取法律行动”。

 

 

皇庭国际的公司官网新增了一位半导体行业的资深顾问，投资德兴市意发功率半导体有限公司有新的进展，相较之前的公告，投资方案调整为由公司全资子公司深圳市皇庭基金管理有限公司向意发功率增资人民币5000万元，对应持有意发功率13.3774%的股权。公告称，除本次增资外，公司仍在与意发功率的核心管理团队洽谈股权收购以及合作事项。

 

 

晶方科技发布公告称，已与以色列VisIC Technologies Ltd.洽谈股权合作，并由苏州晶方贰号集成电路产业基金合伙企业（有限合伙）投资2000万美元，持有VisIC公司13.7%的股权。公告显示，晶方贰号产业基金本次拟增加投资500万美元，向VisIC公司境外股东购买其所持有的VisIC公司股权。对于此次投资的目的，晶方科技表示，公司通过晶方贰号产业基金并对以色列VisIC公司进行投资，有利进一步深化与以色列VisIC公司的股权合作，更好推进未来双方的战略合作与业务协同。

 

 

天眼查显示，近日，奉新时代新能源材料有限公司成立，注册资本10亿人民币，法定代表人为林美娜，经营范围含碳酸锂系列产品、锂电正极材料及其他化工产品的研发、生产和销售；新材料技术研发、推广服务等。股权穿透图显示，该公司由宜春时代新能源资源有限公司（宁德时代全资子公司）、苏州天华超净科技股份有限公司共同持股，持股比例分别为90%、10%。

 

 

韩国三星发表最新财报时宣布，计划2022下半年商业化生产全球首创的闸极全环晶体管（Gate-All-Around，GAA）技术芯片。新制程技术与代工龙头台积电5纳米节点鳍式场效晶体管（FinFET）技术相比，有晶体管密度的优势。，2022上半年第一代GAA技术，就是3GAAE制程技术将量产，到了下半年开始商业化生产。三星将继续照计划开发第二代GAA技术，也就是3GAAP（3nm Gate-All-Around Plus），时间点与三星2021年6月宣布的时程大致相同。

 

天眼查App显示，2月9日，北京京东方尚亦科技有限公司成立，法定代表人为徐伟，注册资本1亿人民币，经营范围含集成电路设计；生产其他电子设备等。股东信息显示，该公司由京东方智慧物联科技有限公司、尚亦城(北京)科技文化集团有限公司共同持股，持股比例分别为60%、40%。

 

 

日前，总投资10亿元的台资项目——长晟半导体闪存芯片封测项目在南通市2022年第一季重大项目集中开工仪式现场亮相。据悉，长晟半导体闪存芯片封测项目是由广东长兴半导体科技有限公司、台湾追日润半导体投资建设，项目位于南通经济技术开发区，占地面积33亩，规划总建筑面积3万平方米。

 

 

2月7日，上海微电子举行首台2.5D/3D先进封装光刻机发运仪式，这标志着中国首台2.5D/3D先进封装光刻机正式交付客户。不过，具体客户未知。资料显示，该光刻机可满足 0.8μm（ 800nm ）分辨率光刻工艺需求，极限分辨率可达 0.6μm（ 600nm ）；通过升级运动、量测和控制系统，套刻精度提升至 ≤ 100nm，并能保持长期稳定性。报道指出，这种光刻机具有高分辨率、高套刻精度以及超大曝光视场等特点，主要用于高密度异构集成的领域。此次发运的产品是新一代的先进封装光刻机，主要应用于高端数据中心高性能计算（HPC）和高端AI芯片等高密度异构集成领域，可满足2.5D/3D超大芯片尺寸的先封装应用需求，代表了行业同类产品的最高水平。

 

 

半导体行业硅晶圆的主要供应商Sumco（胜高）表示，其到 2026 年的产能已经售罄，这表明硅晶圆的短缺状况可能在未来几年都不会缓解。据报道，胜高是为数不多的提供专用硅晶圆的公司之一，该公司公布财报后表示，其未来五年300毫米硅晶圆产能都被订满，目前不接受150毫米和200毫米硅晶圆的长期订单，但未来几年需求可能会持续超过供应。2021年硅晶圆的价格比前一年上涨了10%，胜高预计这种涨势至少会持续到2024年。胜高表示，尽管需要长期供应的客户需求强劲，但今年根本无法扩大产量。公司已经尽其所能优化现有生产线，其全套产品（包括200毫米和300毫米硅晶圆）的供需不平衡是一致的。

 

 

2月7日晚，立昂微发布公告称，公司控股子公司金瑞泓微电子与康峰投资、柘中股份(002346)、嘉兴康晶签署了《关于国晶(嘉兴)半导体有限公司之重组框架协议》。目前国晶半导体由康峰持股14.25%;嘉兴康晶持股41.31%;柘中股份持股44.44%。股权重组后，金瑞泓微电子将取得国晶半导体58.69%股权，嘉兴康晶持有41.31%股权。柘中股份、政府产业扶持基金及其他股东通过嘉兴康晶间接持有国晶半导体股权。这意味着随着立昂微的子公司金瑞泓微电子将成为国晶半导体第一大股东，立昂微将取得国晶半导体的控制权。立昂微认为此次收购有利于公司扩大现有的集成电路用12英寸硅片的生产规模，提高公司在集成电路用12英寸硅片的市场地位。

 

 

据外媒报道，由于未能与管理层就2021年的工资问题达成协议，全国三星电子工会周末向韩国国家劳资关系委员会提出仲裁申请。工会表示，如果仲裁协议不能在10天内达成，工会将拥有举行罢工的合法权利，这在该公司53年的历史中从未出现过。显然，考虑到供应链紧缩已经影响到科技行业，任何工厂停产都将产生重大负面影响。三星子公司WelStory的工会工人也在公司总部前举行集会，抗议管理层拒绝支付绩效奖金。工人们要求管理层分享该公司去年创纪录的营收，但管理层称去年6月韩国公平交易委员会(FTC)处以960亿韩元（约合8000万美元）罚款是拒绝的主要原因。

 

 

软银集团创始人孙正义表示，他计划让Arm在美国进行首次公开募股(IPO)。2月8日，因为监管部门的反对，英伟达(NVDA.US)将放弃从软银手中以660亿美元收购英国芯片企业ARM，终止了这笔交易芯片行业有史以来规模最大的一笔交易。软银现在计划在2023年3月之前让Arm上市。孙正义说，Arm很可能会在以科技股为主的美国纳斯达克股票市场(Nasdaq Stock Market)上市，因为Arm的许多客户都在硅谷。值得关注的是，根据协议条款，软银将保留英伟达预付的12.5亿美元，这笔钱将在第四季度记为利润，而英伟达将保留其20年的ARM授权。

 

 

日前有消息称美光将关闭位于上海的 DRAM 内存设计团队，并给 40 多名核心技术人员提供移民美国的待遇，现在美光方面已经证实停止内存设计团队。据媒体报道，美光声明表示， 将在未来一年内关闭公司上海设计中心的 DRAM 工程组，预计这项工作到 2022 年 12 月将会完成。美光补充说，上海设计中心今后将专注于开发 NAND 和 SSD 技术。此前消息称， 上海的设计中心约有 150 名工程技术人员，其中约有 40 名核心技术人员可选择移民到印度或者美国办公。除了该团队，美光上海研发中心还包括销售、测试等多个部门。

 

 

据《菏泽日报》近日报道，位于山东省菏泽市开发区的美华5G项目工地，自开工以来，项目建设不断提速提效。山东美华5G光通信项目由广东汉瑞通信科技有限公司投资建设，计划投资9.8亿元，用地263亩。项目重点建设第三代半导体光通信激光器封测生产线、5G光通信模块、智能电器终端生产线、功率器件封装及模块生产线共计24条。项目一期建设有4个厂房，目前，1号厂房已经封顶，2、3、4号厂房预计4月底可以封顶，紧接着将进行室内装修等工作。项目计划于2024年全部建成投产，该项目计划2022年5月份试生产，达产后年可实现销售收入50亿元，实现利税10亿元以上，新增就业岗位2000余个。

 

 

东芝在东京发表声明称，计划分拆包括半导体在内的设备业务，让其上市。东芝放弃了稍早时候作出的剥离基础设施业务的计划，该业务将继续归东芝所有。东芝表示，分拆为两家公司的安排将比最初的计划更节省成本、更顺利。东芝表示，存储芯片业务铠侠的股票将继续由公司持有，但公司将寻求“立即”将这些股票变现，并将收益返还给股东。铠侠一直在寻求进行首次公开招股(IPO)，但有报道称它也在与西部数据进行合并谈判。东芝还将其上市电子设备业务东芝泰格指定为非核心业务，但没有表示会出售这个部门。东芝将在两年内把3000亿日元(约合26亿美元)的过剩资本用于股东回报。另外，东芝还将以大约1000亿日元的价格把所持有空调部门东芝开利的55%股份出售给美国合资公司伙伴开利全球公司。

 

 

 

中国电子科技集团第二研究所近日传来好消息，在SiC激光剥离设备研制方面，取得了突破性进展。目前，科研团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础，并利用自主搭建的实验测试平台，结合特殊光学设计、光束整形、多因素耦合剥离等核心技术，实现了小尺寸SiC（碳化硅）单晶片的激光剥离。

 

激光垂直改质剥离设备被誉为“第三代半导体中的光刻机”，其创新性地利用光学非线性效应，使激光穿透晶体，在晶体内部发生一系列物理化学反应，最终实现晶片的剥离。这种激光剥离几乎能避免常规的多线切割技术导致的材料损耗，从而在等量原料的情况下提升SiC衬底产量。此外，激光剥离技术还可应用于器件晶圆的减薄过程，实现被剥离晶片的二次利用。这一研发项目已通过专家论证，正式立项启动，下一步将依托国家第三代半导体技术创新中心，汇聚科研优势力量，聚焦激光剥离技术的实用化与工程化，积极推进工艺与设备的协同创新，研发快速生产化、全自动化、低能耗化的激光剥离设备。

 

近期，科学家获量子领域研究重大突破：首次实现按需读出量子比特，并将量子态保持超过5秒。量子技术为许多技术应用带来了希望，比如建立防御黑客的通信网络，又例如能够加速发明新药的量子计算机。量子计算机运行的是能够存储量子信息的量子比特。但科学家仍致力于研究如何轻松读取量子比特中保存的信息，以及增加量子信息的保存时间(即量子比特的相干时间，通常限于微秒或毫秒内)。

 

美国能源部阿贡国家实验室和芝加哥大学研究人员在此类研究中取得两项重大突破：他们实现了按需读出量子比特，将量子态保持超过5秒，创下了最新世界纪录。此外，研究人员的量子比特由廉价且常用的碳化硅材料制成，这种材料可广泛应用于灯泡、电动汽车和高压电子设备中。相关成果近期发表在《科学进展》(Science Advances)上。实验中使用的芯片由碳化硅材料制成，图片来自芝加哥大学研究人员为此培养了高度纯化的碳化硅样品，以减少干扰其量子比特功能的背景噪声。然后通过对量子比特施加一系列微波脉冲，延长量子比特保存信息的时间。延长量子比特相干时间有重要的作用，例如未来量子计算机能处理非常复杂的操作，或者量子传感器能检测到极其微小的信号。“这些脉冲通过快速翻转量子态，将量子比特与噪声源和误差解耦，”论文共同第一作者Chris Anderson说，“每一次脉冲就像是在量子比特上按下了撤销按钮，消除了脉冲之间可能发生的任何错误。”

 

研究人员表示，目前量子态保持超过5秒的纪录，意味着在量子态被打乱之前可以执行超过1亿个量子操作。在这样的时间尺度上保存量子信息非常罕见。项目首席研究员、阿贡国家实验室高级科学家David Awschalom说，5秒钟的时间足以将光速信号发送到月球并返回。即使在绕地球近40圈后，这种光仍能正确反映量子比特的状态，这为制造分布式量子互联网铺平了道路。此次研究将碳化硅带到了量子通信平台的最前沿。由于碳化硅廉价且常用，很容易用于多种设备中，因此碳化硅材料有助于扩大量子网络规模。

 

 

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究团队在《ACS Applied Materials & Interfaces》期刊上发表了题为“Long-Range Orbital Hybridization in Remote Epitaxy: The Nucleation Mechanism of GaN on Different Substrates via Single-Layer Graphene”的文章。文章第一作者为博士研究生屈艺谱，合作者为徐俞副研究员、徐科研究员以及苏州大学曹冰教授。

 

该团队采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在两种覆盖单层石墨烯（SLG）的极性衬底（Al2O3和AlN）上实现了氮化镓成核层（GaN NLs）的远程外延。研究发现，衬底极性对石墨烯上GaN的成核密度，表面覆盖率和扩散常数起着关键作用。考虑到表面覆盖和衬底污染引起的成核信息差异，通过缩放的成核密度校正了这种误差，得到了衬底极性和GaN成核密度的对应关系。结晶特性分析表明，衬底和外延层的界面外延关系不受单层石墨烯的影响，与传统外延的取向关系一致。

 

为了揭示成核信息差异背后的物理机理，通过理论计算作者发现衬底增强了单层石墨烯上的Ga和N原子的吸附能，且极性较强的AlN相比Al2O3的吸附能更大，AlN和吸附原子Ga之间存在更高的差分电荷密度(CDD)。进一步通过分波态密度(PDOS)分析发现，尽管吸附原子Ga和衬底相距4-5埃，Al2O3和AlN中Al-3p和Ga-4p轨道在费米能级附近仍存在轨道杂化。作者认为在远程外延中，单层石墨烯的存在不影响衬底和吸附原子之间的化学相互作用，这种远程轨道杂化效应正是在极性衬底上远程外延GaN NLs的本质。通过导电胶带可以轻松剥离GaN NLs，而且剥离后的衬底表面没有机械损伤，有望发展一种高质量衬底的低成本制备技术。该研究工作讨论了在石墨烯调控的氮化镓远程外延机理，创新性的提出了远程轨道杂化的概念，充分探讨了GaN和衬底之间的界面关系和界面耦合特性，揭示了远程外延的物理和化学机理，为快速、大面积制备单晶GaN薄膜拓宽了思路。

 

 

近日，郑州大学物理学院材料物理研究所金刚石光电材料与器件团队在国际知名物理期刊《Physical Review Letters》上报道了题为“Active Frequency Measurement on Superradiant Strontium Clock Transitions”的理论研究，诠释了利用锶87光晶格原子钟超辐射进行主动频率测量的物理机制，并提出进一步提高光钟频率测量精度的方法。该院青年教师张元副教授为第一作者和通讯作者，丹麦奥胡斯大学KlausM?lmer教授为共同通讯作者，郑州大学为第一单位。

 

相较微波频段的原子钟，光频原子钟具有更高的精度和准确度。目前，对光钟的研究集中在单个囚禁离子或者中性碱土原子系综体系。前者可通过长时间的测量得到非常高的精度，而后者可通过较大的原子数目提高测量的信噪比。除了量子度量领域外，原子光钟系统也可用于量子计算、量子模拟和多体自旋物理的研究。原子钟可通过被动和主动两种机制进行频率测量。被动机制通常利用激光对原子进行激发然后探测激发原子的荧光，通过调节激光频率使其与原子能级跃迁共振来实现对原子钟频率测量。主动机制直接将原子的主动辐射信号与参考激光进行对比，进而推测出原子钟的频率。

 

在微波频段，氢微波激射器实现了主动的频率测量。在可见光波段，2018年M. Norcia人等首次利用光晶格原子钟系统的超辐射脉冲实现了主动频率测量[Phys.Rev. X 8, 021036 (2018)]（图a）。为了对这个实验涉及的物理有深入的了解并找出优化主动频率测量精度的方法，我们将腔量子电动力学理论和量子测量理论结合提出了对应的随机量子主方程，首次利用二阶平均场方法对该类方程进行了求解，并对实验体系进行了模拟和预测。我们的理论研究揭示了具有多跃迁频率的原子系综复杂的动力学过程，模拟出与实验相符的超辐射差拍、功率密度谱（图b）以及频率测量精度（图c）。此外，我们预测通过延长具有类似强度的超辐射脉冲以及减小单次频率测量所需时间可进一步提高短期的频率测量精度，使其与当前实验报道中最好的频率测量精度相比拟。我们提出的理论不仅可用于研究基于锶88、钙等其它碱土原子超辐射的频率测量，也可用于研究基于稳态超辐射以及超辐射拉曼散射的频率测量。此外，它也可用于探讨复杂物理体系中的量子测量效应，例如测量引起的纠缠和自旋压缩。

 

 

近日美国商务部公布了自 2021 年 9 月开启的《半导体供应链风险信息请求(RFI)》的调查统计结果。报告涉及超过 150 家公司，包括全球主要的半导体生产商及汽车制造商。报告显示目前半导体供应链非常脆弱，需求持续远远超过供应。

 

对于当下半导体行业的供需失衡问题，RFI 解释为多种因素共同作用导致：在 2020 年之前，对于旧品种芯片的生产投入较低；行业转向更多半导体密集型产品(例如电动汽车、5G)增加了对芯片的需求；新冠疫情大流行增加了对各种半导体产品的需求；工厂火灾、冬季风暴、能源短缺以及新冠停工等事件导致的供应链断裂。

 

半导体行业目前有以下突出问题：2021 年对芯片的需求比2019 年超出 17%，但买家表示并未见供应增长；大多数半导体制造企业的产能利用率都在非常高的 90%以上；目前芯片库存中位数已经从 2019 年的 40 天降至不到 5 天，在某些关键行业更低；成熟制程半导体供应更为短缺，包括传统逻辑芯片(主要用于汽车、医疗设备等)、模拟芯片(主要用于电源管理、图像传感器和射频)、光电子芯片(主要用于传感器及开关)。

 

半导体的战略地位不断提高：半导体产能的不足引起了世界范围内对半导体行业的重视，半导体的战略地位不断凸显。美国众议院通过法案，计划对半导体产业提供 520 亿美元的资金支持；欧盟委员会通过《芯片法案》，计划投入 430 亿欧元以提升欧盟在全球的芯片生产份额；中国“十四五”规划对半导体产业链各个关键“卡脖子”环节将重点支持。

 

投资建议：当前半导体供应链中以晶圆产能不足问题最为严重，虽然全球主要晶圆代工厂均已实施扩建计划，但是产能放量仍需时间，Trend Force 的预测显示 8 寸晶圆的缺货态势将延续到 2023 年下半年。近期上市公司会陆续披露 2021 年度业绩，我们持续看好晶圆代工行业的发展。

 

 

近日，交银国际发研报指，2022年交银持续看好功率半导体板块，原因有三：1）预计2022年半导体产业景气度优势显着；2）从下游来看，功率半导体聚焦汽车和工业级应用，正处于超级成长周期；3）基本面支撑估值，板块PEG性价比显着。

 

交银提出三个不同于市场的观点：1）当前半导体产业的核心矛盾转变为国际关系和供应链安全，而非全球产业周期性回落的风险。功率半导体由于其产业特点，正成为国产半导体实现自主的突破口。2）市场普遍理解半导体产业转移是以美国为主导，中国自主成功率不高。交银认为，中国已经成为全球新能源车以及可再生能源电力最大市场，具备孵化功率半导体国际龙头的潜力。3）市场一直认为功率半导体龙头马太效应明显。交银认为，国产功率半导体产业借助与代工厂的快速产能扩张，有望加速追赶。

 

 

2月10日，IC Insights 发布了其对全球半导体行业的全面预测和分析。报告预测，继 2021 年强劲增长25%和2020年增长11%之后，今年半导体总销售额将增长 11%。如果这个预测能够实现，这将标志着半导体市场自1993年至1995年以来首次连续三年年两位数的增长。IC Insights还预测2021-2026年光、传感器、分立器件（OSD 器件）的总复合年增长率将保持8.0%的健康增长率，IC总销售额预计将以略低的6.9%的速度增长。预计主要半导体产品类别的复合年增长率从传感器/执行器的12.3%到分立器件的3.1%不等。预计逻辑 IC 市场的复合年增长率将在主要IC类别中最为强劲。逻辑 IC 市场近年来表现非常出色，汽车专用逻辑和工业专用逻辑器件成为该领域整体增长的强劲动力。

 

 

阿斯麦首席执行官Peter Wennink周三表示，半导体行业需要大量投资来增加产能，目前还不存在供应过剩的危险。Peter Wennink表示，中国、欧盟、日本、韩国和美国的计划预计将使芯片行业的资本支出从2021年的1500亿美元增加一倍。

 

业内消息人士透露，随着需求持续超过供应，Wi-Fi核心芯片的供应紧张状况预计在2022年不会明显缓解，尽管供应商正在寻求代工合作伙伴的更多产能支持，但交付期将持续维持较长状态。联发科指出，Wi-Fi 6/6E核心芯片的需求今年将大幅增长，这得益于此类芯片组在除路由器外的多种智能终端设备（包括笔记本电脑和客户办公设备）中的快速整合。瑞昱则指出，到2022年底，仅Wi-Fi 6/6E的渗透率就将飙升至50%以上，其核心芯片供应将持续紧张。

 

 

Counterpoint发布最新报告指，由于5G、物联网、云计算、高性能计算、汽车芯片和其他领域的需求增加，预计到2030年半导体行业收入将达到1万亿美元左右。随着技术节点缩小，DUV(深紫外)和EUV(极紫外)光刻系统被广泛用于硅晶圆制作。ASML凭借对先进EUV技术和基于高价值的服务模式(包括生产力和性能升级)大量投资，有望超越其长期发展预测。

 

 

近日，市场研究公司 Gartner 发布了2021全球芯片买家TOP10报告，报告显示2021 年 IT 制造商的半导体采购总额为 5834.77 亿美元（约 3.71 万亿元人民币），其中苹果独占鳌头，三星排第二，第三位的公司是联想，Top10榜单中的中国公司还包括步步高、小米、华为和鸿海。

 

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