- 2023-05-22 15:27日本京都大学教授Naoki SHINOHARA:太阳能卫星及相关波束无线电力传输技术的最新研发进展
- 2023-05-22 15:22西安电子科技大学王鹏飞;双阈值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于优化Ka波段高电场线性度的多指漏极板研究
- 2023-05-22 15:21昂瑞微电子副总经理黄鑫:国产突破,中国射频前端产业引领5G 芯时代
- 2023-05-22 15:20山东大学新一代半导体材料研究院研究员崔鹏:电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs
- 2023-05-22 15:19中国电科十三所正高级工程师杜鹏搏:47GHz-52GHz功率放大器芯片套片设计
- 2023-05-22 15:18南京理工大学副教授黄同德:28GHz氮化镓基时间调制波束成形系统
- 2023-05-22 15:17能讯高能半导体副总裁裴轶:氮化镓推动5G、射频能源及其他领域的创新
- 2023-05-22 15:16复旦大学教授黄伟:宽带GaN毫米波新器件研究
- 2023-05-22 15:15国博电子副总经理钱峰:5G移动通信用化合物器件研究
- 2023-05-22 15:14澳大利亚麦考瑞大学教授Sourabh KHANDELWAL:Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM
- 2023-05-22 15:14西交利物浦大学朱昱豪:35-5V单片集成GaN基DC-DC浮动降压转换器
- 2023-05-22 15:13中科院宁波材料所戴贻钧:无等离子体损伤GaN HEMT极化隔离的设计与优化
- 2023-05-22 15:12中科院苏州纳米所助理研究员钟耀宗:功率HEMT的p-GaN栅极可靠性及其加固方法
- 2023-05-22 15:02中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员胡卫国:AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制
- 2023-05-22 15:02电子科技大学博士陈匡黎: p-GaN Gate HEMT器件阈值稳定性及其机理
- 2023-05-22 15:01美国弗吉尼亚理工大学助理教授张宇昊:中高压(1-10 kV)氮化镓功率器件新进展
- 2023-05-22 15:00润新微电子副总经理王荣华:后快充时代的氮化镓功率器件产业化
- 2023-05-22 14:59加拿大滑铁卢大学副教授Lan WEI:Recent Progress of the MIT Virtual-Source GaN HEMT (MVSG) Compact Model
- 2023-05-22 14:57南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇:Si基GaN器件及系统研究与产业前景
- 2023-05-22 14:56南京邮电大学博士刘建华:氮化镓功率器件耐压理论与电场均匀化技术研究