首页 > 新闻资讯 > 搜索
中国电科第四十八研究所40台SiC外延设备成功Move in
中国电科第四十八研究所自主研发SiC外延炉Movein
 评论 ⋅  2024-01-10 18:25
上海交大无锡光子芯片研究院光子芯片中试线首批设备入场
 评论 ⋅  2024-01-09 17:17
上海光机所在高重频高功率超快激光器研究取得进展
 评论 ⋅  2024-01-05 09:50
厦门大学林楷强教授团队在二维半导体材料的激子研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-03 15:32
中国科学院半导体所伍绍腾：基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件研究
 评论 ⋅  2023-12-29 15:28
北京大学教授于彤军：大尺寸AlN单晶生长研究
 评论 ⋅  2023-12-27 13:55
厦门大学张峰：新型沟槽SiC基MOSFET器件研究
 评论 ⋅  2023-12-26 15:37
中国科学院长春光机所黎大兵研究团队喜获吉林省技术发明一等奖
氮化铝深紫外光电器件吉林省技术发明一等奖黎大兵孙晓娟蒋科吴亮徐春阳贲建伟
 评论 ⋅  2023-12-26 09:33
易美新创刘国旭：单晶蓝绿双波长LED在宽色域背光应用的研究
 评论 ⋅  2023-12-25 17:29
山东大学徐明升：SiC的高温氧化研究
 评论 ⋅  2023-12-25 11:18
武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 18:02
IFWS 2023│九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽器件技术研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 10:42
IFWS 2023│南砂晶圆/山东大学杨祥龙：大尺寸SiC单晶的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 11:52
基金委部署集成芯片前沿技术科学基础研究计划
国家自然科学基金委集成芯片前沿技术重大研究计划芯粒
 评论 ⋅  2023-12-18 10:55
太原理工大学和武汉大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 10:20
IFWS 2023│华南师范大学尹以安：具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
 评论 ⋅  2023-12-18 10:11
中科院半导体研究所公开一项集成光子芯片专利 可提升光模块性能
 评论 ⋅  2023-12-15 14:28
IFWS 2023│晶格领域张泽盛：液相法碳化硅单晶生长技术研究
 评论 ⋅  2023-12-15 13:38
北京大学无锡EDA研究院，揭牌！
 评论 ⋅  2023-12-14 19:16
北京大学无锡EDA研究院在无锡高新区揭牌
 评论 ⋅  2023-12-14 16:14
中国科学院在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-12-12 15:36
IFWS 2023│日本国立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器
 评论 ⋅  2023-12-08 16:04
IFWS 2023│南方科技大学于洪宇：Si基GaN器件及系统研究与产业前景
 评论 ⋅  2023-12-08 15:32
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
NEC全彩LED恒晶屏点亮文献资料研究馆
 评论 ⋅  2023-12-07 15:57
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟：助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-07 15:07
SSLCHINA2023│国星光电研究院赵龙：Micro LED显示技术及其产业化应用趋势
 评论 ⋅  2023-12-07 10:22
湖南大学物电院刘渊教授团队在小尺寸晶体管研究中取得新进展
 评论 ⋅  2023-12-06 17:10
IFWS 2023│六方氮化硼研究进展
 评论 ⋅  2023-12-06 11:20
IFWS 2023│中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
 评论 ⋅  2023-12-05 16:53
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部