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长宇科技取得一项外延生长基盘用高均质性特种石墨材料的制备方法专利,能够保持产品制备的稳定性
华海清科12英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300完成首台验证工作
长飞先进与中信银行签约合作
晶合集成申请一种半导体结构的制作方法及动态调整系统专利,提高半导体结构的良率
扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利,降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
龙腾股份取得 SGT-MOSFET 半导体器件制备方法相关专利,避免出现第一氧化层过薄
浙江奥首材料科技申请一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液专利,减少剥离液中的腐蚀
英诺赛科GaN:开启高效、便携的电子产品新时代
法国GaN
企业
获应用材料、台湾工研院投资
芯源微获得发明专利授权:“晶圆搬运装置及晶圆搬运方法”
亿纬锂能与中电建北京院达成战略合作
13亿元!创维集团被迫转让LG广州工厂10%股权
国内DPU芯片头部
企业
中科驭数签约落户武汉光谷
至芯半导体重磅发布全新V1版UVC-LED芯片@BeyondUV®
天岳先进董事长:第三代半导体 需求推动碳化硅材料快速发展
EPC Power 携手 Wolfspeed,以碳化硅打造可靠的模块化电网级储能方案
新微半导体推出850nm 10G VCSEL工艺平台,面向广泛的数通应用
芯联集成:2023年及2024年上半年,公司SiC MOSFET产品出货量均位居国内第一
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利,提高了栅极可靠性
扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利,提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
众多院士专家
企业
家齐聚南昌,2024南昌光电博览会精彩日程出炉!
镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底
双成药业筹划重大资产重组:拟注入芯片业务,提升公司经营质量
科友半导体认定黑龙江省第六批专精特新“小巨人”
企业
罗姆与联合汽车电子签署SiC功率元器件长期供货协议
上海积塔半导体申请半导体结构相关专利,避免因相邻膜层刻蚀选择比过大形成底切结构
英诺激光:公司已实现批量供应碳化硅退火制程的激光器
Wolfspeed推出2300V碳化硅功率模块,助力清洁能源产业提升
立昂晶电:实现磷化铟半导体材料技术突破 获评雏鹰
企业
国博电子:上半年发布多款GaN射频模块产品,预计下半年开发并应用新一代的产品
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