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国内高校实现Micro LED技术突破，涉及深紫外、光通讯
 评论 ⋅  2024-08-13 16:24
我国科学家实现材料突破，可用于开发低功耗芯片
 评论 ⋅  2024-08-09 10:22
北大电子学院张志勇课题组提出集成电路用碳纳米管材料要求
 评论 ⋅  2024-08-08 14:14
上海微系统所成功开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
 评论 ⋅  2024-08-08 11:10
IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破
 评论 ⋅  2024-08-08 08:58
晶钻科技同质外延单晶金刚石新突破
 评论 ⋅  2024-08-06 11:26
西电在逻辑运算器件领域取得重要突破
 评论 ⋅  2024-08-06 09:47
光谷光通信传输最新成果，又破世界纪录！
 评论 ⋅  2024-08-05 15:30
极紫外光刻新技术问世 能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本
 评论 ⋅  2024-08-02 08:56
基本半导体铜烧结技术在碳化硅功率模块中的应用
 评论 ⋅  2024-08-01 17:37
深圳这家半导体工厂宣布停工停产放假3个月
 评论 ⋅  2024-07-24 10:21
中国科学院化学研究所张德清课题组在聚合物半导体图案化加工方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-07-24 10:20
半导体所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:42
中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:27
北美科学家研发出一种新型超薄晶体薄膜半导体
 评论 ⋅  2024-07-22 09:35
我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-19 10:57
中国科学院郑婉华院士团队半导体所有源光束扫描激光器研发取得进展
 评论 ⋅  2024-07-15 15:16
中国科学院半导体所在可调谐MEMS-VCSEL研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-07-15 15:12
北京大学在GaN功率器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
 评论 ⋅  2024-07-12 22:09
江苏通用半导体成功实现剥离出130um厚度超薄SiC晶圆片
 评论 ⋅  2024-07-12 17:36
西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-11 17:31
复旦大学研发半导体性光刻胶，实现特大规模集成度有机芯片制造
 评论 ⋅  2024-07-08 13:10
北大王玮教授团队在芯片热管理领域取得进展
 评论 ⋅  2024-07-02 08:33
积塔半导体BCD复合高压隔离器平台开发团队：积沙成塔，用“芯”取得新突破
 评论 ⋅  2024-06-14 10:46
中国科学家在半导体领域获突破 登上《自然》杂志
 评论 ⋅  2024-06-12 11:42
名古屋大学天野浩团队Nature发文：氮化镓 的2D-Mg掺杂现象
 评论 ⋅  2024-06-11 09:54
Nano Lett.∣高效载流子倍增实现紫外光电探测器EQE突破
 评论 ⋅  2024-06-07 13:58
西安交大刘明教授团队在柔性自支撑反铁电氧化物单晶薄膜研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-06-04 13:40
808nm高功率半导体激光芯片取得重大突破
 评论 ⋅  2024-06-03 11:25
晶合集成申请半导体专利，能提高半导体器件的稳定性和平衡性
 评论 ⋅  2024-05-30 09:37
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