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国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
KAUST实现千伏级蓝宝石衬底AlN肖特基二极管
 评论 ⋅  2025-02-17 09:10
1万伏！我国实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破
 评论 ⋅  2024-11-05 09:24
世界最好水平！奥趋光电推出新一代超高透过率AlN单晶衬底
 评论 ⋅  2023-06-12 09:28
西安交大科研人员在垂直结构hBN/BAlN异质结电学特性研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-03-28 16:45
我国研究者开发AlNO新型缓冲层，提升绿光LED效率方面获重大进展
 评论 ⋅  2022-06-29 08:35
科研人员提出超宽禁带半导体材料AlN位错抑制新方法
超宽禁带半导体材料AlN位错抑制新方法
 评论 ⋅  2021-05-26 16:01
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