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宁波材料所在超宽禁带半导体基日盲紫外探测领域取得系列进展
 评论 ⋅  2025-03-25 19:16
重磅发布｜九峰山实验室GaN系列成果首次发布！
九峰山实验室GaN研究成果8英寸氮化镓衬底
 评论 ⋅  2025-03-24 09:29
北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-25 10:09
北大集成电路学院研究团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 17:17
北京大学在GaN功率器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
 评论 ⋅  2024-07-12 22:09
天津大学在硅基频率源技术方面取得系列成果
 评论 ⋅  2023-08-08 10:18
北京大学在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展
 评论 ⋅  2023-02-20 19:32
厦大课题组在有机半导体空穴传输材料领域取得系列进展
 评论 ⋅  2023-01-04 09:37
半导体所等研究团队合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展
 评论 ⋅  2022-10-14 17:45
湖南三安发布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ
 评论 ⋅  2022-09-05 18:43
南科大深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展
 评论 ⋅  2022-04-24 09:56
南科大深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展
 评论 ⋅  2022-04-22 13:48
北大材料学院刘磊课题组在六方氮化硼材料的制备及其同位素效应研究中取得系列进展
 评论 ⋅  2022-04-15 09:08
壁仞科技首款通用GPU芯片BR100系列一次点亮成功
 评论 ⋅  2022-04-01 11:33
南科大潘权团队在高速通信芯片设计领域取得系列新成果
 评论 ⋅  2022-03-18 10:44
台湾交通大学激光60周年系列专文：介绍GaAs及GaN VCSEL
台湾交通大学激光60周年GaAsGaNVCSEL
 评论 ⋅  2020-05-19 13:17
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