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基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管
 评论 ⋅  2023-06-08 09:44
大阪大学、丰田合成等合作利用Na助熔剂法培育出世界上最大的6英寸高品质GaN晶体
 评论 ⋅  2022-07-25 17:14
6英寸高品质GaN晶体最新进展
 评论 ⋅  2022-07-14 19:16
日本团队合作开发出高品质第三代100mm氧化镓外延片
 评论 ⋅  2022-03-28 17:18
国际首次 | β相氧化镓功率品质因子国际首次超越SiC理论极限
 评论 ⋅  2022-01-19 11:23
晶瑞股份：公司半导体级高纯硫酸品质达全球第一梯队水平
 评论 ⋅  2021-05-13 12:00
SiC领域20年来的重大技术突破，京都大学将品质提高约10倍
 评论 ⋅  2020-09-11 17:22
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