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南京大学—江苏富乐德石英“半导体洗净技术
研究
中心”签约揭牌仪式
CASICON晶体大会前瞻 |广东工业大学张紫辉:界面缺陷效应对 GaN功率电子器件的影响
研究
CASICON晶体大会前瞻|山东华光:高功率半导体激光器核心外延材料及芯片
研究
进展
北京大学郑州新材料高等
研究
院项目开工
以小晶体带动大产业,济南晶谷
研究
院打造具有核心竞争力的新一代半导体产业集群
自然科学基金委发布集成芯片前沿技术科学基础重大
研究
计划2024年度项目指南 最高1500万元/项
技术进展|突破性
研究
:GaN-on-Diamond键合界面热阻显著降低
武汉大学联合中国科学院微电子
研究
所与青禾晶元在表面活化键合4H-SiC的热物性表征与声子热输运
研究
领域取得新进展
美国斥资110亿美元推动半导体领域技术
研究
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学魏杰:高速低损耗SOI LIGBT新结构与机理
研究
CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大学王曦:光控型SiC功率器件的理论与实验
研究
CSPSD 2024成都前瞻|西安电子科技大学何艳静:SiC MOSFET浪涌可靠性的
研究
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学刘人宽:基于多层级多场域的压接型IGBT模块失效演化机制
研究
CSPSD 2024成都前瞻|西安交通大学王来利:碳化硅功率半导体器件与变换器封装集成技术
研究
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学李俊宏:基于傅里叶乘法特性的高可靠性无半桥直流无刷电机驱动电路
研究
国家重点研发计划“单片集成GaN基可调控Micro-LED发光器件
研究
”项目启动
厦门大学团队在第四代半导体氧化镓材料外延和深紫外探测应用领域
研究
取得重要进展
CSPSD 2024成都前瞻|广东工业大学张紫辉:GaN功率半导体器件仿真建模与制备
研究
CSPSD 2024成都前瞻|中国科学院上海微系统与信息技术
研究
所程新红:SiC MOSFET 过流保护技术分析与研发
CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料实验室王方洲:低损耗高耐压Si基GaN双向阻断功率器件
研究
CSPSD 2024成都前瞻 |东南大学魏家行:碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性
研究
CSPSD 2024成都前瞻 |中国科学院微电子
研究
所蒋其梦:氮化镓功率器件开关安全工作区的
研究
CSPSD 2024成都前瞻 |南方科技大学化梦媛:Ga-O原子间势函数及其应用
研究
CSPSD 2024成都前瞻|南京邮电大学南通
研究
院执行副院长姚佳飞将出席“2024功率半导体器件与集成电路会议”
CSPSD 2024成都前瞻|北京智慧能源
研究
院所长金锐受邀将出席“2024功率半导体器件与集成电路会议”
浙江省集成电路 EDA 技术重点企业
研究
院正式挂牌
武汉大学海门集成电路
研究
中心成立
招聘信息丨西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体
研究
院诚邀全球英才
哈工大郑州
研究
院在CVD法制备纯净分散纳米金刚石技术领域取得重要进展
中国电科产业基础
研究
院:全力开新局 引领第三代半导体创“芯”发展
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