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南京集芯光电取得一种氮化镓生长加热炉专利,解决氮化镓采取和附着问题,提高产量
浙之芯申请一种氮化镓传感器及制备方法和装置专利,大大提高氮化镓传感器的制备效率
美国商务部批准SK海力士提供4.58亿美元《芯片法案》补贴
苏州立琻半导体申请p型AlGaN材料及其制备等专利,提高了p型AlGaN材料的空穴浓度
3.5亿!一半导体项目在皖开工
烽火通信5G承载应用及数字经济研发生产基地项目(一期)一标段全面封顶
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总投资1.2亿 湖州奕富半导体研磨装备国产化项目签约,
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欧盟批准意大利13亿欧元补贴 助力Silicon Box建设先进半导体封装厂
用AI链接芯世界,此芯科技2024生态大会完美收官
环球晶圆获芯片法案4.06亿美元补贴,将建设美国首座大批量300毫米硅晶圆工厂
突发!拜登政府要对中国成熟芯片下手!
上海积塔半导体申请检测晶圆位置的专利,能够确保后续晶圆环切等工艺顺利进行
浙江睿熙申请 VCSEL 集成晶圆及其制造方法专利,实现晶圆级别集成
森国科申请 MOSFET 结构相关专利,降低饱和电流
长飞先进武汉碳化硅基地设备进场
上海烨映微电子申请 GaN 晶体管与栅极驱动器合封专利,实现高频能力
中科飞测第1000台集成电路质量控制设备出机
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利,提高了器件的功率密度
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利,提高器件的抗辐照能力
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利,改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利,有效降低器件VFSD
中微公司宣布成功从美国国防部中国军事企业清单中移除
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