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江苏能华微取得 GaN 肖特基二极管相关专利，有效提高了 GaN 肖特基二极管的性能
 评论 ⋅  2024-09-03 10:56
中图科技申请一种高深度微结构图形化半导体衬底及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-08-30 17:55
西安奕斯伟材料申请用于外延设备的处理方法专利
 评论 ⋅  2024-08-30 15:58
苏州科阳半导体取得晶圆封装相关专利
 评论 ⋅  2024-08-30 15:53
武汉凡谷获得实用新型专利授权：“天线振子及天线”
 评论 ⋅  2024-08-29 17:42
瀚天天成“一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-29 16:08
苏州晶湛半导体取得半导体结构及其形成方法专利，提高半导体外延层的性能
 评论 ⋅  2024-08-29 10:52
武汉凡谷取得用于两端面形状不同的杆类部件的正反向识别输送装置专利
 评论 ⋅  2024-08-29 09:58
河北博威集成电路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-08-26 15:36
河北同光半导体取得超高真空碳化硅原料合成炉系统专利
 评论 ⋅  2024-08-21 22:13
积塔半导体“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-21 16:08
福建泓光半导体材料取得一种光刻胶自动过滤装置专利，提高工作效率
 评论 ⋅  2024-08-20 20:32
北方华创“碳化硅晶体生长装置”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-16 17:24
利普思半导体“一种功率模块结构”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-16 09:56
捷捷微电取得降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法专利，降低了开关损耗
 评论 ⋅  2024-08-15 16:08
豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法专利，有效提高微纳结构中有源层的发光效率
 评论 ⋅  2024-08-13 16:14
粤芯半导体“一种半导体器件中的互连金属的沉积方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-13 14:15
粤芯半导体“一种半导体器件中的互连金属的沉积方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-09 14:41
华羿微电“新型功率MOSFET器件及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-07 09:31
华羿微电“一种低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-06 14:07
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利，降低功率器件制造成本
 评论 ⋅  2024-08-05 17:20
芯联集成“沟槽型功率器件结构及其制造方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-05 16:03
华光光电申请一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法专利
 评论 ⋅  2024-07-31 10:21
派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-07-31 10:05
芯聚能“功率模块外壳”专利获授权
 评论 ⋅  2024-07-29 11:58
忆芯科技“支持SR-IOV的NVMe控制器及方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-07-29 10:59
芯联集成“半导体器件的制备方法及半导体器件”专利获授权
 评论 ⋅  2024-07-26 09:22
中欣晶圆“12寸退火片的制造方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-07-19 11:31
扬杰科技申请降低栅极电容的 SiCMOSFET 及制备方法专利，降低 SiCMOSFET 栅极电容
 评论 ⋅  2024-07-18 16:20
英诺赛科“含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件及其制造方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-07-12 16:07
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