首页 > 新闻资讯 > 搜索
华虹宏力“提升芯片良率和可靠性的方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-11 16:59
华海清科“晶圆干燥装置和晶圆干燥方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-06 11:13
捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-05 15:01
上海积塔半导体取得晶圆承载装置及应用其的半导体工艺设备专利，避免晶圆拿取时破碎
 评论 ⋅  2025-02-05 10:10
华海清科“用于晶圆加工的承载头及化学机械抛光设备”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-21 10:37
北方华创“一种晶圆位置检测装置及半导体设备”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-21 10:35
英诺赛科起诉英飞凌专利侵权
 评论 ⋅  2025-01-21 10:25
杭州士兰微电子取得半导体器件专利，控制了栅漏电容
 评论 ⋅  2025-01-21 10:11
九奕半导体设备取得光刻机送料机构专利，使硅片涂布更均匀
 评论 ⋅  2025-01-15 13:48
中微公司发明专利再获中国专利奖殊荣
 评论 ⋅  2025-01-09 15:01
北京航天赛德申请氮化镓衬底抛光液专利，极大提升氮化镓衬底表面特性
 评论 ⋅  2025-01-08 11:02
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-07 14:55
中芯微取得半导体生产制造用光刻机专利，可实现移动目的
 评论 ⋅  2025-01-07 14:27
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-06 09:40
北方华创“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-06 09:39
天域半导体取得水平气流SiC外延设备石英钟罩内壁清洁工具专利，能够保证石英钟罩的清洁效果符合炉膛反应需求
 评论 ⋅  2025-01-03 10:45
派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-31 16:08
成都士兰半导体申请半导体外延结构及其制备方法专利，降低外延自掺杂效应
 评论 ⋅  2024-12-27 15:49
深圳晶源申请光刻胶模型优化方法专利，能够解决模型中存在的过拟合现象和一致性不佳的技术问题
 评论 ⋅  2024-12-27 15:39
河北同光半导体申请具有 p/n 结结构的碳化硅单晶柔性膜专利，实现碳化硅薄膜高效剥离且无损伤
 评论 ⋅  2024-12-27 14:54
无锡锟芯半导体取得一种IGBT的驱动装置专利，实现IGBT本体的快速装拆
 评论 ⋅  2024-12-26 17:00
上海天岳申请一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体专利，提高SiC衬底质量
 评论 ⋅  2024-12-26 16:43
安徽格恩半导体申请GaN基化合物半导体激光元件专利，提升光束质量因子
 评论 ⋅  2024-12-26 15:08
广州华瑞升阳申请宽禁带半导体器件专利，降低宽禁带半导体器件导通损耗和栅介质层击穿风险
 评论 ⋅  2024-12-26 09:56
长光华芯“一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-26 09:16
浙江材孜科技取得碳化硅单晶生长装置专利，有利于生长空间的稳定性
 评论 ⋅  2024-12-24 16:04
纳维达斯半导体申请 GaN 半桥电路等专利，提升电路性能
 评论 ⋅  2024-12-24 15:54
士兰微“用于LLC谐振变换器的恒流控制电路及恒流控制方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-24 10:34
捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-24 10:33
派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”专利公布
 评论 ⋅  2024-12-24 10:32
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部