2023中关村论坛北京（国际）第三代半导体创新发展论坛

作为中关村论坛非常重要的一个平行论坛，2023年5月28日下午，北京（国际）第三代半导体创新发展论坛（以下简称“论坛”）在中关村国家自主创新示范区展示中心举行。

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲做《第三代半导体产业发展战略思考》主题综述报告。

安世半导体副总裁 Carlos Castro介绍了氮化镓功率电子器件和典型应用。

博世汽车电子事业部中国区总裁Georges ANDARY分享了汽车功率半导体在减少碳排放方面的贡献，报告中讨论了全球和中国半导体市场的最新主要发展，并介绍碳化硅的主要产品特性、优势，以及碳化硅应用对减少碳排放的贡献。

美国国家工程院院士、加州大学教授Umesh Mishra分享了高效率氮化物功率半导体和射频电子研究进展。半导体技术必须实现基于应用的高性能，技术必须非常可靠，同时要不断的降低成本，低成本需要高的市场渗透率，氮化镓拥有激光、LED、雷达、毫米波通信等广泛的应用基础，具有巨大的市场潜力。

IEEE国际宽禁带半导体技术路线图委员会(ITRW)主席、美国北卡罗莱纳州立大学教授、国际电气和电子工程师协会会士(IEEE Fellow)Victor Veliadis分享了碳化硅功率半导体器件技术的最新研究进展。

中科院北京纳米能源与系统研究所所长、中国科学院外籍院士、欧洲科学院院士王中林分享了第三代半导体的压电电子学与压电光电子学的状况与研究进展。