2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会

日期:2021-07-21     状态:状态
展会日期 2021-08-08 至 2021-08-09
展出城市 南京
展出地址 南京城市名人酒店
展馆名称 南京城市名人酒店
主办单位 半导体产业网 第三代半导体产业
承办单位 北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
官方网站 http://www.casmita.com/
展会说明
 2 (1)
各相关单位:
 
第三代半导体材料及其应用是全球半导体产业战略竞争新高地,目前我国正迎来发展第三代半导体的重要窗口期。功率半导体从原材料到设计、晶圆制造加工装备、封测,正加速实现全产业链国产化。虽然我国已发展成为全球第一大功率半导体市场,但国产自给率较低,行业仍存巨大供需缺口,国产替代将是未来重要的发展方向。
 
为了更好的把握时机推进产业的发展,打破功率半导体产业在材料与装备、芯片制造、封装模组、系统应用等环节产业化主要技术瓶颈,引领技术及市场风向,半导体产业网在南京大学电子科学与工程学院的指导下,拟定于2021年8月8-9日在南京召开“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G 射频领域的技术进展与创新应用,助推相关领域市场产品国产化替代,届时邀请行业众多技术及应用专家进行研究、分享、交流。诚挚欢迎各研究院所、高校、产业链企事业单位参与讨论。
 
会议时间:2021年8月8-9日 
会议地点:南京·城市名人酒店(江苏省南京市鼓楼区中山北路30号)
联系人:贾先生18310277858,jiaxl@casmita.com
              张小姐13681329411,zhangww@casmita.com
 
附件:会议资料
 
一、组织机构:
指导单位
南京大学

主办单位
半导体产业网
第三代半导体产业 公号
 
承办单位
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
 
赞助支持单位
Crosslight Software Inc
聚能创芯微电子有限公司
ULVAC株式会社
宁波恒普真空
GaNPower Intl. Inc
德仪国际贸易
苏州汉骅半导体
上海智湖信息技术有限公司
大族激光
苏州晶湛半导体
上海翱晶半导体
云南锗业
 
二、会议背景:
 
以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗辐射等优异特性,因其在国防安全、智能制造、产业升级、节能减排等国家重大战略需求方面的重要作用,正成为世界各国竞争的技术制高点。但受工艺、成本等因素限制,多年来仅限于小范围应用。
 
近年来,随着材料生长、器件制备等技术的不断突破,第三代半导体的性价比优势逐渐显现并正在打开应用市场: SiC肖特基二极管器件开始应用于新能源汽车及高端电源市场,包括PFC、光伏逆变器和高端家电变频器等,GaN快速充电器也大量上市。未来5-10年是全球第三代半导体产业的加速发展期,基于第三代半导体材料的功率半导体器件将广泛应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景,也是我国能否实现产业自主可控的关键期。
 
由于功率半导体器件在实现电能高效利用、节能减排、建设资源节约型社会方面发挥着不可替代的作用。国家各级政府纷纷出台政策护航产业发展,一批针对性扶持措施开始显效,将会不断推动功率半导体器件行业的技术进步,形成先进技术的自有知识产权,优化国产功率半导体器件的产品结构。
 
功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场,市场规模呈现稳健增长态势。随着5G带来的万物互联及基地台、数据中心数量的迅速增长,以及汽车电子化程度的持续提升,带动功率半导体市场实现较快增长。
 
在新能源汽车应用以及PD快充市场爆发的强力带动下,2020年国内SiC、GaN电力电子器件市场规模较上年同比增长90%,未来5年将以45%的复合增长率增长至300亿。根据CASA Research第三代半导体产业发展报告(2020)表明:2020年我国第三代半导体电力电子与射频总产值已经超过100亿元 。SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元,同比增长54%;GaN微波射频产值达到60.8亿元,同比增长80.3%。“十四五”科技计划中将建设“面向大数据中心应用的GaN基高效功率电子,应用于数据中心电源的GaN电力电子器件”提上日程,未来这个市场将迎来高速增长。
 
随着国内企业逐步突破行业内高端产品的核心技术,我国功率半导体器件对进口的依赖将会减弱,进口替代的市场机遇逐渐显现。功率半导体器件是国民经济中各行业发展的基础元器件,其技术进步和应用领域的拓宽既能够促进工业的产业结构升级,也为居民生活带来更多便利和舒适。
 
目前,第三代半导体材料及其应用是全球半导体产业战略竞争新高地,目前我国正迎来发展第三代半导体的重要窗口期。功率半导体从原材料到设计、晶圆制造加工装备、封测,几乎可以实现全产业链国产化。虽然我国已发展成为全球第一大功率半导体市场,但国产自给率较低,行业仍存巨大供需缺口,国产替代将是未来重要的发展方向。
 
为了更好的把握时机推进产业的发展,打破功率半导体产业在材料与装备、芯片制造、封装模组、系统应用等环节产业化主要技术瓶颈,引领技术及市场风向。半导体产业网在南京大学等单位的指导下,拟定于2021年在南京组织召开“2021功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)” 邀请行业众多技术及应用专家进行研究、分享、交流。欢迎各研究院所、高校、产业链企事业单位参与讨论。
 
三、会议安排:
会议安排

四、报告嘉宾&主题报告:

1、8月8日报告(陆续更新中)

报告嘉宾:陈堂胜--中国电科首席科学家/微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室主任
主题报告:低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件

报告嘉宾:陈敦军--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授   
主题报告:GaN功率开关器件及其高频电源应用
 
报告嘉宾:孙伟锋--东南大学教务处处长 教授
主题报告:功率电子电路设计(TBD)

报告嘉宾:
龙世兵--中国科学技术大学微电子学院执行院长
主题报告:低成本高性能氧化镓功率器件

报告嘉宾:Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主题报告:Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
 
报告嘉宾:张 云--天津大学电气自动化与信息工程学院教授
主题报告新能源汽车电力电子系统及其运行控制

报告嘉宾:
黄润华--中电科五十五所副主任设计师
主题报告碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展

报告嘉宾:戴小平-株洲中车电气时代/湖南国芯总经理
主题报告SiC功率器件封装技术(TBD)
 
2、8月9日报告(陆续更新中)

报告嘉宾:
程新红--中科院上海微系统研究所研究员
主题报告SOI基GaN材料及功率器件集成技术

报告嘉宾:邓小川--电子科技大学教授
主题报告极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究

报告嘉宾:惠  峰--云南锗业公司首席科学家/中科院半导体所研究员
主题报告VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用

报告嘉宾:陈 鹏--南京大学教授
主题报告GaN肖特基功率器件新进展

报告嘉宾:倪炜江--安徽芯塔电子科技有限公司 总经理
主题报告高性能高压碳化硅功率器件设计与技术

报告嘉宾:李 强--西安交通大学
主题报告基于HBN 的射频器件

报告嘉宾:吴 彤--安森美首席SiC 专家
主题报告Adopt of SiC devices in EV applications

报告嘉宾:吴 亮--奥趋光电CEO
主题报告高质量AlN/AlScN单晶衬底与薄膜制备技术及其在射频滤波领域应用前景展望

报告嘉宾:张保平--厦门大学电子科学与技术学院 副院长、教授
主题报告氮化镓基VCSEL技术进展

报告嘉宾:蔚 翠--中电科第十三研究所研究员
主题报告金刚石微波功率器件研究

报告嘉宾:左  超--爱发科商贸(上海)有限公司电子营业部部长
主题报告量产高性能功率与射频器件的ULVAC装备技术

报告嘉宾:裴 轶--苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁
主题报告面向5G移动通讯的氮化镓射频功率器件

报告嘉宾:王祁玉--益丰电子副总经理
主题报告射频器件(TBD)

报告嘉宾:袁 理--青岛聚能创芯微电子有限公司
主题报告面向快充应用的GaN材料和器件技术

报告嘉宾:刘 雯--西交利物浦大学
主题报告硅基GaN MIS-HEMT 单片集成技术

报告嘉宾:陈钰林--英诺赛科科技股份有限公司副总裁
主题报告八英寸硅基氮化镓技术进展(TBD)

报告嘉宾:顾 星--苏州汉骅半导体有限公司
主题报告GaN 射频器件(TBD)
 
主题报告氧化镓基双极型异质结功率器件研究
报告嘉宾:叶建东--南京大学教授

报告嘉宾:刘新科--深圳大学副教授
主题报告基于氮化镓单晶衬底的半导体功率器件

报告嘉宾:彭 燕--南砂晶圆研发中心主任,山东大学副教授
主题报告碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究

报告嘉宾:叶念慈--三安集成技术市场总监
主题报告(TBD)

报告嘉宾:樊嘉杰--复旦大学青年研究员
主题报告SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计

报告嘉宾:纽应喜--启迪半导体研发总监
主题报告碳化硅外延装备及技术进展

报告嘉宾:童吉楚--乾照激光副总经理
主题报告VCSEL 技术 (TBD)

报告嘉宾:程  凯--苏州晶湛半导体
主题报告用于新型GaN功率器件的外延技术进展

报告嘉宾:杨学林--北京大学物理学院高级工程师
主题报告
Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展

报告嘉宾:徐尉宗--南京大学研究员
主题报告
面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术

更多报告嘉宾正在确认中!!!
 
拟参与单位:华为、中兴、南京大学、三安光电、东南大学、英诺赛科、锴威特、泰科天润、基本半导体、捷捷微电、中微公司、苏州纳维、厦门大学、南砂晶圆、瀚天天成、苏州晶湛、云南锗业、Crosslight、英飞凌、GaNPower、安森美、许继电气、中车时代、国家电网、中芯集成、华润微电子、南大光电、AIXTRON、中电科五十五所、中电科十三所 西安电子科技大学、江苏能华、西安交通大学、北京大学,电子科技大学,河北同光、山东天岳、天津大学、聚能创芯,赛微电子,南京百识,唐晶量子,天科合达,汉骅半导体,南京百识,大族激光,德仪,江苏三代半研究院等

投稿 :Oral或Poster :500字左右扩展摘要提交到 1957340190@qq.com。

参会注册 :注册费 2000 (会议资料,招待晚宴,自助餐)
开户行:中国银行北京科技会展中心支行
账  号:336 356 029 261
名  称:北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

参会/赞助/商务合作:
联系人:
贾先生18310277858,jiaxl@casmita.com
              张小姐13681329411,zhangww@casmita.com

协议酒店:城市名人酒店(协议价400,含早)
联系人:王玮18652978537,648231476@qq.com 
展会备注
半导体产业网在南京大学电子科学与工程学院的指导下,拟定于2021年8月8-9日在南京召开“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”。
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