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  • 中电科十三所基础研究

    12210

    中电科十三所基础研究
    使用MOCVD生长的QCL激光器Epitaxy of mid- infrared quantum cascade lasers fully by MOCVD房玉龙中电科十三所基础研究部主任FANG YulongHebei Semiconductor Institute
    122100
    guansheng2023-05-22 10:25

  • 中微公司MOCVD工艺总

    9170

    中微公司MOCVD工艺总
    用于蓝绿光Mini/Micro-LED生产的MOCVD新型装备Blue/Green Mini and Micro-LEDs Grown on Large Size Substrates for Advanced Display Applications陈耀中微公司MOCVD工艺总监Yao CHENDirector of MOCVD Process Technology，Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China
    91700
    guansheng2023-05-19 11:55

  • 中国科学院半导体所研

    6800

    中国科学院半导体所研
    平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
    68000
    guansheng2023-05-18 16:19

  • 中国科学院半导体研究

    21010

    中国科学院半导体研究
    当前，人们对于绿色、环保、安全的重视度在不断的提高，随着全球化加速发展，公共卫生风险对人口流动和经济活动造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突发公共卫生风险的重要性不言而喻。基于第三代半导体氮化镓材料的紫外LED光源具有节能环保、寿命长、开启速度快、辐射强度可控、光谱可定制等优势，成为维护公共卫生安全的重要力量。紫外LED是半导体光电产业发展的新蓝海，双碳战略也给包括紫外LED产业在内的绿色环保节能产
    210100
    guansheng2022-09-10 15:45

  • 厦门大学张荣 教授:氮

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    厦门大学张荣 教授:氮
    第三代半导体材料在不同领域的应用非常广泛，其中，LED可以说是其第一个较成熟的应用突破口，伴随着元宇宙等新时代的展开，Micro-LED显示应用又迎来了一波新的发展机遇，作为应用的支撑，技术的发展水平非常重要。张荣教授分享了其带领的团队在氮化物半导体基显示技术方面的最新研究及成果。报告结合Micro-LED的优势与挑战，从外延结构设计、芯片制备、全彩化方案、系统集成、纳米LED等方面详细分享了团队最新的多个研究发现和研究
    200400
    guansheng2022-09-10 15:43

  • 中国科学院北京纳米能

    19800

    中国科学院北京纳米能
    宽禁带材料具有非中心对称的晶体结构，因而表现出显著的压电特性，长期以来这些材料中压电极化电荷和半导体特性的耦合过程被忽略。近年来对于压电电子学和压电光电子学的基础及应用研究取得了快速地发展。多种功能材料中的压电电子学和压电光电子学的基本效应得到了系统深入地研究，相关的理论体系得以建立，诸多压电电子学和压电光电子学器件也被设计研发。会上，王中林院士带来了压电学理论与研究成果的分享，报告结合具体的数据
    198000
    guansheng2022-09-10 15:42

  • 西安电子科技大学郝跃

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    西安电子科技大学郝跃
    中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授带来了超宽禁带半导体器件与材料的若干新进展 的主题报告；中科院外籍院士、中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士带来了第三代半导体中的压电电子学与压电光电子学的主题报告；厦门大学校长张荣教授介绍了氮化物半导体基 Micro-LED显示技术新进展；大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员带来了氮化物深紫外LED光源助力公共卫生安全 的主题报告。几大精彩主题报告，从技
    289500
    guansheng2022-09-10 15:38

  • 中国科学院苏州纳米技

    11690

    中国科学院苏州纳米技
    常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生
    116900
    guansheng2022-09-09 15:53

  • 山东大学徐现刚教授：

    21640

    山东大学徐现刚教授：
    半导体激光器的理论和实践都取得巨大成果。近年来,GaAs基大功率半导体激光器凭其优势，在众多领域得到广泛应用。但是GaAs基大功率半导体激光器仍面临着功率不足、发热量大及光束质量差的问题。光电性能差是限制其应用的关键问题，如何进一步提高激光器的光电性能是半导体激光器面临的挑战。朱振博士在报告中，详细分享了GaAs半导体激光器关键技术及最新研究进展，报告指出基于GaAs衬底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
    216400
    guansheng2022-09-09 15:50

  • 北京大学沈波教授：氮

    17730

    北京大学沈波教授：氮
    以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分
    177300
    guansheng2022-09-09 15:47

  • 圆桌对话：碳化硅、氮

    12210

    圆桌对话：碳化硅、氮
    主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，中科院半导体所研究员赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干
    122100
    guansheng2022-09-08 15:57

  • 圆桌对话：MOCVD外延

    12350

    圆桌对话：MOCVD外延
    主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，中科院半导体所研究员赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干
    123500
    guansheng2022-09-08 15:55

  • 中国科学技术大学谭鹏

    7610

    中国科学技术大学谭鹏
    零回滞氧化镓光电晶体管 从光电导效应到光栅效应谭鹏举，邹燕妮，赵晓龙*，侯小虎，张中方，丁梦璠，于舜杰，马晓兰，徐光伟，胡芹*，龙世兵中国科学技术大学
    76100
    guansheng2022-09-02 16:03

  • 南京大学叶建东：氧化

    6640

    南京大学叶建东：氧化
    氧化镓基双极型异质结功率器件研究叶建东*，巩贺贺，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顾书林，陆海，张荣，郑有炓南京大学
    66400
    guansheng2022-09-02 16:02

  • 陕西科技大学马淑芳：

    6650

    陕西科技大学马淑芳：
    基于单根Ga2O3纳米线的深紫外光电探测性能马淑芳*，刘松，韩斌，尉国栋，董浩琰，牛艳萍，郝晓东，许并社陕西科技大学
    66500
    guansheng2022-09-02 16:01

  • 中国科学技术大学龙世

    8670

    中国科学技术大学龙世
    氧化镓半导体器件龙世兵*，徐光伟，赵晓龙，侯小虎中国科学技术大学
    86700
    guansheng2022-09-02 15:59

  • 湖北大学陈兴驰：基于

    7470

    湖北大学陈兴驰：基于
    基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN异质结与pn结耦合增强型自驱动紫外探测器研究陈兴驰，陈剑，樊启贤，毛佳兴，张忠辉，许雅俊，卢寅梅，何云斌*湖北大学
    74700
    guansheng2022-09-01 16:22

  • 吉林大学焦腾：n型Ga2

    6470

    吉林大学焦腾：n型Ga2
    n型Ga2O3薄膜的MOCVD同质外延焦腾，陈威，李政达，刁肇悌，党新明，陈沛然，董鑫*吉林大学
    64700
    guansheng2022-09-01 16:21

  • 南京大学汪正鹏：NiO/

    6310

    南京大学汪正鹏：NiO/
    NiO/-Ga2O3p+-n异质结二极管深能级缺陷研究汪正鹏，巩贺贺，郁鑫鑫，叶建东*，顾书林，任芳芳，张荣，郑有炓南京大学
    63100
    guansheng2022-09-01 16:20

  • 大连理工大学张赫之：

    7790

    大连理工大学张赫之：
    两步法在蓝宝石衬底上生长高质量-Ga2O3厚膜的研究张赫之，张嵩，董增印，张文辉，程丽媛，梁红伟*大连理工大学中国电子科技集团公司第四十六研究所
    77900
    guansheng2022-09-01 16:19

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