SiC单晶的坩埚结构及PVT生长工艺条件的改进SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT GrowthWon-Jae LEE韩国东义大学教授、釜山电力半导体研究所所长Won-JaeLEEProfessor of Dong-Eui University,Director of Busan Power Semiconductor Lab.

6英寸复合衬底上厚GaN外延生长研究Growth of Thick GaN Epilayers on 150mm Engineered Substrate韩颖中国电子科技集团第十三所高级工程师HAN YingSenior Engineer of Hebei Semiconductor Research Institute

氧化镓异质结功率晶体管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韩根全西安电子科技大学教授HAN GenquanProfessor of Xidian University

浙江大学城市学院城市管理研究中心主任韩明清：美化or丑化？对城市景观照明的冷思考

韩国国立首尔大学的Jung Eek SON教授分享了《作物生产系统中采用3D模型和光学模拟进行针对遮雨棚光投射、光合作用、光照利用率的评估》研究报告。他介绍说，在植物生产系统中，为了提高生产力和降低成本，必须提高光的利用效率，为此需要在不同的光照条件下估算冠层的光截获量。该研究以LED为光源，评估了不同生长条件下生菜的光截获、光合速率及光利用效率。采用三维扫描植物模型和射线追踪模拟方法，对莴苣的光截获率进行了估算

韩国岭南大学教授Ja-soon JANG 介绍了GaN基发光二极管器件可靠性特性分析方法技术报告。他表示，发光二极管（LED）技术已经迅速发展以满足LED应用领域的各种需求，如汽车照明，手术照明和IT可控智能照明。 随着LED的重要性越来越大，可靠性问题越来越重要。 他分享了最近的可靠性问题，并考虑到可以解决可靠性问题的可行方法。为此，我们从遗传个体和外部诱导的退化因素、复杂因素和触发因子等方面进行研究，新提出了影响LED可靠性行为的边界条件（芯片和封装之间）以及影响因素，以确保LED的哪些部分易受