超宽禁带半导体氧化镓及金刚石的晶体生长模拟研究Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond付昊苏州思体尔软件科技有限公司副总经理Henry FUVice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.

金刚石深紫外光电探测器研究Deep ultraviolet photodetectors based on diamond杨珣郑州大学副教授YANG XunProfessor of Zhengzhou University

MPCVD法金刚石同质外延生长及MOS器件技术Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology张金风西安电子科技大学教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University

金刚石微波功率器件进展Progress in Diamond Microwave Power Devices冯志红中国电科首席科学家、中国电科13所研究员、专用集成电路国家级重点实验室常务副主任FENG ZhihongHebei Semiconductor Research lnstitute

利用AlN传导层在GaN衬底上外延生长金刚石薄膜及其热传输特性Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer桑立雯日本国立物质材料研究所独立研究员SANG LiwenIndependent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan

《基于MPCVD法异质外延生长金刚石膜的研究》作者：陈凯，胡文晓，叶煜聪，刘斌，陶涛，张荣单位：江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院，厦门大学

《大面积单晶金刚石及场效应晶体管研究》作者：王艳丰，王玮，常晓慧，张晓凡，朱天飞，刘璋成，陈根强，王宏兴单位：西安交通大学教育部物理电子器件重点实验室，西安交通大学电子与信息学部宽禁带半导体与量子器件研究所

《金刚石材料制备加工和应用研究》作者：王希玮，彭燕，徐明升，胡小波，徐现刚单位：山东大学新一代半导体材料研究院

瑞士Microdiamant研发部门负责人Christian JENTGENS带来了题为多晶金刚石微纳米粉在SiC晶片加工中的应用及其关键工艺技术的主题报告，报告表示，碳化硅业务的主要目标是提高效率，并介绍了SiC晶圆加工的个性化解决方案，从厂商角度分享了碳化硅晶圆最重要的特征，如何判断产品品质优劣以及关键的流程步骤等内容。

西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺

西安交通大学教授王宏兴做了关于微机电系统单晶金刚石微结构制备的报告。

山东大学/济南中乌新材料有限公司王希玮做了高温高压单晶实验室生长金刚石技术的介绍，分享了单晶金刚石生产技术方面的工作及成果。

郑州大学物理工程学院院长、教授单崇新介绍了高质量金刚石的CVD生长。金刚石是自然界产生的最坚硬的一种材料，因为它极高的硬度，一直被当做是打磨的工具，切割的工具等，在不同的方面都有应用，日常生活以及工业生产中都能用到金刚石。除了高硬度以外，金刚石还有很多其他独特的特点，很适合当做半导体材料，比如非常高的带隙、电压、非常高的热传导性等，这些特点使得金刚石一直被认为是重要的，也是非常有潜力的下一代半导体器件的原料。把金刚石材料转变成金刚石器件还有很长的路要走，也需要很多高品质的材料，这是非常基本的一步。

河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶金刚石场效应晶体管的射频功率性能评价的报告，结合相关的试验数据，王晶晶介绍了P型掺杂、晶体管测试、以及利用MPCVD设备来进行金刚石薄膜的沉积，利用轻等离子体处理的方法实现它的P型构造，基于金刚石等材料来制作金刚石射频器件等研究成果。