超宽禁带半导体氧化镓及金刚石的晶体生长模拟研究Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond付昊苏州思体尔软件科技有限公司副总经理Henry FUVice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.

中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授带来了超宽禁带半导体器件与材料的若干新进展 的主题报告；中科院外籍院士、中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士带来了第三代半导体中的压电电子学与压电光电子学的主题报告；厦门大学校长张荣教授介绍了氮化物半导体基 Micro-LED显示技术新进展；大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员带来了氮化物深紫外LED光源助力公共卫生安全 的主题报告。几大精彩主题报告，从技

宽禁带与超宽禁带半导体电子器件若干新进展 郝跃 院士 西安电子科技大学

《超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件和光电探测器》作者：龙世兵，徐光伟，赵晓龙，孙海定单位：中国科学技术大学

西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺