新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
led
紫外
半导体
技术
发展
氮化镓
设计
科技
首页
新闻资讯
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
首页
>
视频
>
搜索
综合排序
最多点击
最新发布
全部类别
IFWS
SSLCHINA
MOCVD2022
WBSC 2021
极智课堂
紫外
LEDCON
CASICON
TCL
科技集团
工业研究
653
0
TCL
科技集团
工业研究
Mini/Micro-LED微显示技术分析与应用刘海坤博士TCL科技集团工业研究院
653
0
0
guansheng
2023-05-19 10:24
中国电子
科技集团
首席
2148
0
中国电子
科技集团
首席
SiC功率MOSFET技术及应用进展柏松中国电子科技集团首席专家、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
2148
0
0
guansheng
2023-05-19 09:39
极智报告|中国电子科
3
0
极智报告|中国电子科
中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家,国际电工技术标准委员会专家,研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。 其中,冯志红表示,氮化镓与氮化铝是非常好的搭配,会带来比较高的功率,相比其他一些结构更加优化,也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域,希望增加输出功率。结合具体的建模分析,冯志红表示,降低延迟,为了获得信号而降低
3
0
0
limit
2024-11-01 06:59
相关搜索
在
新闻资讯
找 科技集团
在
行业活动
找 科技集团
在
专题聚焦
找 科技集团
在
招聘求职
找 科技集团
在
资料下载
找 科技集团
联系客服
投诉反馈
顶部