高品质磷化铟衬底对激光器性能影响研究Effect of High Quality InP Substrate on Laser Performance惠峰云南锗业公司首席科学家、云南鑫耀半导体材料有限公司总经理HUI FengChief Scientist of Yunan Germanium Co.,ltd

金刚石微波功率器件进展Progress in Diamond Microwave Power Devices冯志红中国电科首席科学家、中国电科13所研究员、专用集成电路国家级重点实验室常务副主任FENG ZhihongHebei Semiconductor Research lnstitute

新型MO源及在第三代半导体中的应用Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors杨敏江苏南大光电材料股份有限公司首席科学家

未来显示技术的发展方向Display Technology Development and Technical Challenges袁广才--京东方科技集团显示与传感器件研究院院长、半导体技术首席科学家YUAN Guangcai--President and Chief scientist of DisplaySensor Research Institute of BOE

极智报告|日本理化所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究进展 更多精彩报告，敬请点击页面顶端下载极智头条APP。

耶鲁大学研究科学家宋杰分享了“纳米孔GaN作为高反射和熔覆层的III族氮化物激光器”报告。他表示，我们制备了由纳米孔状的GaN和无孔GaN薄膜的周期结构组成的布拉格反射层，通过4～5对的DBR层就获得了高达99.9%的放射率，并且显著地提高了激光二极管结构中的光学限制因子，使得阈值材料gain降低至400cm-1，比之前报道的低了二倍，表明我们可以显著地降低激光器的开启阈值电流以及提高光电转化效率。同时，我们也采用纳米孔状的GaN和无孔GaN组成的布拉格反射层引用到VCSEL结构中，实现了光激射的VCSE

美国Wolfspeed 电力设备研究科学家Jon ZHANG教授带来“碳化硅功率器件的现状与展望”主题报告。Jon ZHANG教授表示，功率半导体器件是电力电子系统的重要组成部分，其决定了能量调节系统的效率、尺寸和成本。功率器件的进步革新了电力电子系统。针对不同的应用，如今的商业市场提供了广泛的电子器件。在所有类型的电力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模块中最常用的组件。尽管有这些优势，Si 功率器件正在接近他们的性能极限。