提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的银基镂空反射电极Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉刚南京大学电子科学与工程学院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士、挪威Crayonano AS创始人兼首席技术官Helge WEMAN带来以石墨烯为基底和透明电极的AlG

挪威科学技术大学教授，挪威科学技术院院士Helge WEMAN带来了题为采用石墨烯衬底和透明底部电极的AlGaN纳米线外延 UV LED的主题

蓝宝石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱结构的激光二极管中n-p电极对于p型电导率的影响 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS郑州大学 Mussaab I. NIASSZhengzhou University

瑞典查尔姆斯理工大学副教授Jie SUN带来了关于GaN光电器件CVD石墨烯透明电极研究进展，让与会代表拍手称赞！ 石墨烯传统上是通过石墨机械剥落制备的，且大面积单层石墨烯的制备很有挑战性。为此，化学气相沉积（CVD）在过渡金属上石墨烯最近被发展。自2009年以来，在Chalmers我们已经在金属箔（Cu，Pt，Ta等）上生长了单层石墨烯，在硅衬底上蒸镀了金属薄膜.9-9 CH4或C2H2作为反应物，石墨烯通过商业直冷式Aixtron系统生长。通过湿化学法蚀刻铜或更环保的电化学气泡分层，石墨烯可以转移到