氧化镓中缺陷扩展及模型Defect Expansion and Model in Gallium Oxide张赫之大连理工大学副教授ZHANG HezhiAssociate Professor, Dalian University of Technology

基于结终端扩展的kV级硅基GaN准垂直结构pn二极管刘轩，王茂俊*，魏进，文正，解冰，郝一龙，杨学林，沈波北京大学

西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大