提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的银基镂空反射电极Ag-based hollow reflective electrode on thin p-GaN layer for improving the light output efficiency of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes周玉刚南京大学电子科学与工程学院教授ZHOU YugangProfesor of School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University

利用泵浦-探测瞬态反射显微技术测定立方砷化硼的高双极性迁移率High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide（BAs）Revealed by Transient Reflectivity Microscopy刘新风国家纳米科学中心研究员,中科院纳米标准与检测重点实验室副主任LIU XinfengProfessor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences

集成反射器的封装技术用于提升高功率UVC LED芯片的光提取效率Enhanced Light Extraction Efficiency of high power UVC LEDs by SMD-Packaging with Integrated Reflectors胡晓东德国MSG Lithoglas GmbH亚太地区总监HU XiaodongDirector of Asia Pacific Region of MSG Lithoglas GmbH, Germany

无损表征氮化镓外延热物性的瞬态热反射技术Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武汉大学工业科学研究院研究员YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University

俄罗斯STR 集团有限公司Mark RAMM介绍了《塑造-LED芯片形成内部微反射器，提高出光效率的一种方式》主题报告。他表示，微型LED在极高电流密度下工作的光源，其器件自热、由俄歇复合引起的效率下降和表面复合成为限制器件性能的主要因素。特别是当器件尺寸减小时，表面复合导致-LED峰值效率向更高电流密度处偏移且数值降低。早期对-LED的研究主要集中在它们的电流调制特性上。直到最近，效率提高才成为-LED的研究热点。通常，-LED的

耶鲁大学研究科学家宋杰分享了“纳米孔GaN作为高反射和熔覆层的III族氮化物激光器”报告。他表示，我们制备了由纳米孔状的GaN和无孔GaN薄膜的周期结构组成的布拉格反射层，通过4～5对的DBR层就获得了高达99.9%的放射率，并且显著地提高了激光二极管结构中的光学限制因子，使得阈值材料gain降低至400cm-1，比之前报道的低了二倍，表明我们可以显著地降低激光器的开启阈值电流以及提高光电转化效率。同时，我们也采用纳米孔状的GaN和无孔GaN组成的布拉格反射层引用到VCSEL结构中，实现了光激射的VCSE